11 patentes, modelos y diseños de CREE RESEARCH, INC.

  1. 1.-

    RECUPERACION DE SUSTRATOS DE CARBURO DE SILICIO CON SUPERFICIE UTIL.

    (12/2005)
    Inventor/es: NEGLEY, GERALD, H. Clasificación: H01L33/00.

    La invención se refiere a un procedimiento para recuperar sustratos de carburo de silicio sobre superficies listas para usar, de estructuras heteroepitaxiales de nitruros del grupo III sobre sustratos de carburo de silicio. El procedimiento comprende someter a la capa epitaxial de nitruros del grupo III sobre un sustrato de carburo de silicio a una tensión que aumente suficientemente el número de dislocaciones de la capa epitaxial y hacer así que la capa epitaxial se someta al ataque y disolución en un ácido mineral, pero que no afecte al sustrato de silicio, y después poner en contacto la capa epitaxial con un ácido mineral para eliminar el nitruro del grupo III mientras permanece el sustrato de carburo de silicio inalterado.

  2. 2.-

    GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.

    (09/2004)
    Ver ilustración. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC. Clasificación: C30B29/36, C30B23/00, C30B29/40, C30B25/00, C30B29/38.

    Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.

  3. 3.-

    CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION.

    (09/2004)

    DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO. EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO DE UN TIPO DE PRIMERA CONDUCTIVIDAD CON UNA REGION HUNDIDA DE UN TIPO DE SEGUNDA CONDUCTIVIDAD FORMADO EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. UN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO MOS DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA REGION HUNDIDA Y UN TRANSITOR MOS COMPLEMENTARIO DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. EL METODO DE FABRICACION DEL CMOS DE CARBURO DE SILICIO INCLUYE LA FORMACION DE UNA REGION HUNDIDA DE UNA CONDUCTIVIDAD OPUESTA EN UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO POR IMPLANTACION DE ION. LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENAJE...

  4. 4.-

    TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.

    (03/2003)

    SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR, Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO , UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES...

  5. 5.-

    PIXEL PROVISTO DE CONTACTOS SUPERIORES LED EN UN PLANO Y PANTALLAS QUE LO INCORPORAN.

    (12/2002)
    Inventor/es: VAN DE VEN, ANTHONY P., SWOBODA, CHARLES M. Clasificación: G09F9/33, G09G3/32, H01L25/075.

    Píxel que comprende: un diodo electroluminiscente (LED) que emite en la región azul del espectro visible; un diodo electroluminiscente que emite en la región verde del espectro visible y dicho LED azul adyacente; presentando dichos LED azul y LED verde sus respectivos contactos superiores dispuestos sustancialmente en un plano común; y un diodo electroluminiscente que emite en la región roja del espectro visible, y adyacente a dicho LED azul y dicho LED verde, presentando dicho LED rojo su contacto superior correspondiente sustancialmente en el mismo plano que dichos contactos superiores de dicho LED azul y dicho LED verde.

  6. 6.-

    TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, AUTOALINEADO, PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA.

    (07/2002)
    Inventor/es: ALLEN, SCOTT, T. Clasificación: H01L29/24, H01L29/812, H01L29/161, H01L29/47.

    SE REVELA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR METALICO (MESFET) QUE MUESTRA UNA RESISTENCIA DE FUENTE REDUCIDA Y FRECUENCIAS DE OPERACION SUPERIORES. EL MESFET COMPRENDE UNA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO Y UNA ZANJA DE PUERTA EN LA CAPA EPITAXIAL QUE EXPONE UNA SUPERFICIE DE PUERTA DE CARBURO DE SILICIO ENTRE LOS DOS BORDES RESPECTIVOS DE LA ZANJA. UN CONTACTO DE PUERTA SE REALIZA PARA LA SUPERFICIE DE PUERTA Y CON LA ZANJA DEFINE ADEMAS LAS REGIONES DE ORIGEN Y DE DRENAJE DEL TRANSISTOR. LAS SUPERFICIES METALICAS OHMICAS RESPECTIVAS FORMAN CONTACTOS OHMICOS SOBRE LAS REGIONES DE ORIGEN Y DRENAJE DE LA CAPA EPITAXIAL, Y LOS BORDES DE LAS CAPAS DE METALICAS EN LA ZANJA ESTAN ESPECIFICAMENTE ALINEADOS CON LOS BORDES DE LA CAPA EPITAXIAL EN LA ZANJA.

  7. 7.-

    DISEÑOS DE SOPORTE PARA PELICULAS FINAS DE CARBURO DE SILICIO

    (01/2002)
    Inventor/es: KONG, HUA-SHUANG, CARTER, CALVIN, JR., SUMAKERIS, JOSEPH. Clasificación: C30B25/12, C23C16/44.

    Se describe un soporte para minimizar o eliminar los gradientes térmicos que afectan a una oblea sustrato durante el crecimiento epitaxial. El soporte incluye una primera porción de soporte que incluye una superficie para recibir una oblea de sustrato semiconductor en ella y una segunda porción de soporte. El soporte se caracteriza porque la segunda porción de soporte se enfrenta a la superficie receptora de sustrato y está separada de la superficie receptora de sustrato, siendo la separación suficientemente grande para permitir el flujo de gases entre ellas para el crecimiento epitaxial en un sustrato sobre la superficie, y siendo suficientemente pequeña para que la segunda porción de soporte caliente la cara expuesta del sustrato sustancialmente a la misma temperatura que la primera porción de soporte calienta la cara del sustrato que está en contacto directo con la superficie receptora de sustrato.

  8. 8.-

    DESARROLLO DE CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO INCOLOROS.

    (08/2001)
    Inventor/es: TSVETKOV, VALERI F., CARTER, CALVIN, H., GLASS, ROBERT, C. Clasificación: C30B23/00.

    LOS GRANDES MONOCRISTALES DE CARBURO DE SILICIO SE CULTIVAN EN UN SISTEMA DE HORNO DE SUBLIMACION. LOS CRISTALES SE CULTIVAN COMPENSANDO LOS NIVELES DE IMPURIFICADORES TIPO P Y TIPO N (A SABER, NIVELES MAS O MENOS IGUALES DE LOS DOS IMPURIFICADORES) PARA OBTENER UN CRISTAL ESENCIALMENTE INCOLORO. EL CRISTAL SE PUEDE TALLAR Y PULIR A MODO DE GEMAS SINTETICAS CON UNA RESISTENCIA Y DUREZA EXTRAORDINARIAS, Y UN BRILLO IGUAL O MAYOR QUE LA DEL DIAMANTE.

  9. 9.-

    METODO DE OBTENCION DE PASIVACION DE DIOXIDO DE SILICIO DE ALTA CALIDAD SOBRE CARBURO DE SILICIO.

    (06/2001)
    Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W. Clasificación: H01L29/24, H01L21/473.

    UN METODO PARA OBTENER CAPAS DE PASIVACION DE GRAN CALIDAD, SOBRE SUPERFICIES DE CARBURO DE SILICIO, MEDIANTE OXIDACION DE UNA CAPA SACRIFICIAL DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO, SOBRE UNA PORCION DE CARBURO DE SILICIO, DE UNA ESTRUCTURA DE DISPOSITIVO, PARA CONSUMIR SUSTANCIALMENTE LA CAPA SACRIFICIAL Y OBTENER UNA CAPA DE PASIVACION DE OXIDO SOBRE LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO QUE ESTA SUSTANCIALMENTE LIBRE DE ADULTERANTES QUE, DE OTRO MODO, DEGRADARIAN LA INTEGRIDAD ELECTRICA DE LA CAPA DE OXIDO. LA OXIDACION DE LA CAPA SACRIFICIAL SE OBTIENE PREFERENTEMENTE MEDIANTE OXIDACION TERMICA. LA PORCION DE CARBURO DE SILICIO PUEDE SER CARBURO DE SILICIO DEL TIPO P, QUE ES ALUMINIO IMPURIFICADO.

  10. 10.-

    MODULO DE PANTALLA DE PANEL PLANO DE MATRIZ DE LED DE COLOR VERDADERO CON CIRCUITOS DE ACTIVACION.

    (12/2000)
    Ver ilustración. Inventor/es: SWOBODA, CHARLES M., VAN DE VEN, ANTONY, P. Clasificación: G09F9/33, G09G3/32.

    SE FORMA UN MODULO DE PRESENTACION CON UN PANEL PLANO DE COLOR REAL MEDIANTE UNA MATRIZ DE PIXELS DISPUESTOS EN FILAS Y COLUMNAS. CADA PIXEL ESTA COMPUESTO POR DIODOS DE EMISION LUMINOSA (LED) DE ESTADO SOLIDO DE COLOR ROJO, VERDE Y AZUL, QUE PUEDEN CONSTITUIR CUALQUIER COLOR DE LA PARTE DE LA CURVA CIE QUE CAE DENTRO DE UN TRIANGULO CUYOS LADOS ESTAN FORMADOS POR UNA LINEA DE LA CURVA CIE ENTRE 430 NM Y 660 NM, UNA LINEA ENTRE 600 NM Y UN PUNTO ENTRE 500 Y 530 NM, Y UNA LINEA ENTRE EL PUNTO 500530 NM Y 430 NM. LA MATRIZ DE LOS LEDS CONECTADOS EN COMUN SE ACTIVA APLICANDO DIFERENTES VOLTAJES A LOS LEDS DE COLORES DIFERENTES CONECTADOS EN COMUN DE LA MATRIZ DE LEDS. UN CIRCUITO DE ACTIVACION PUEDE TENER ACTIVADORES CON DIFERENTES VOLTAJES, CONECTADOS EN COMUN A UNA MATRIZ DE LEDS, TAMBIEN CONECTADOS EN COMUN, DE FORMA QUE SE APLIQUEN DIFERENTES VOLTAJES A LEDS QUE TENGAN DIFERENTES VOLTAJES DE FUNCIONAMIENTO.

  11. 11.-

    DIODO EMISOR DE LUZ DE GEOMETRIA VERTICAL CON UNA CAPA ACTIVA DE NITRURO DEL GRUPO III Y VIDA UTIL AUMENTADA.

    (05/2000)
    Inventor/es: EDMOND, JOHN, ADAM, KONG, HUA-SHUANG, BULMAN, GARY, E., DMITRIEV, VLADIMIR. Clasificación: H01L33/00.

    UN DIODO EMISOR DE LUZ EMITE EN LA PARTE AZUL DEL ESPECTRO VISIBLE Y SE CARACTERIZA POR UN TIEMPO DE VALIDEZ PROLONGADO. EL DIODO EMISOR DE LUZ COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO CONDUCTOR ; UN CONTACTO OHMICO PARA EL SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO; UNA CAPA SEPARADORA CONDUCTORA SOBRE EL SUBSTRATO Y SELECCIONADA DEL GRUPO QUE SE COMPONE DE NITRURO DE GALIO, NITRURO ALUMINICO, NITRURO DE INDIO, NITRUROS DEL GRUPO III TERNARIO QUE TIENEN LA FORMULA A{SUB,X}B{SUB, 1-X}N, DONDE A Y B SON ELEMENTOS DEL GRUPO III Y DONDE X ES CERO, UNO O UNA FRACCION ENTRE CERO Y UNO, Y ALEACIONES DE CARBURO DE SILICIO CON TALES NITRUROS DEL GRUPO III TERNARIO; Y UNA HETEROESTRUCTURA DOBLE QUE INCLUYE UNA UNION P-N SOBRE LA CAPA SEPARADORA EN LA CUAL LAS CAPAS ACTIVAS Y LAS CAPAS DE LA HETEROESTRUCTURA SON SELECCIONADAS DEL GRUPO QUE SE COMPONE DE NITRUROS DEL GRUPO III BINARIOS Y DE NITRIDOS DEL GRUPO III TERNARIOS.