36 patentes, modelos y diseños de APPLIED MATERIALS, INC.

  1. 1.-

    Caja de conexión para un panel solar fotovoltaico

    (11/2013)

    Caja de conexión para un panel solar que comprende una carcasa , una tapa , un primer acoplamiento yun segundo acoplamiento , en el que la carcasa comprende paredes laterales y una pared superior que definen un espacio interior , en la que el primer acoplamiento comprende un primer elemento decontacto y el segundo acoplamiento comprende un segundo elemento de contacto , elementos de contacto que penetran al menos una de las paredes laterales , de modo que los elementos de contacto proporcionan un contacto eléctrico desde los elementos de contacto externos hacia los elementos de...

  2. 2.-

    CAMARA DE PROCESO, INSTALACION DE RECUBRIMIENTO EN LINEA Y PROCEDIMIENTO PARA TRATAR UN SUSTRATO

    (09/2010)

    Una cámara de proceso para el tratamiento de un sustrato (5a, 5b), en particular para el recubrimiento de un sustrato (5a, 5b) mediante un procedimiento PECVD (deposición química en fase de vapor asistida por plasma), que comprende un recipiente , herramientas de tratamiento para generar las condiciones de reacción para el tratamiento del sustrato (5a, 5b), y al menos un portador (4a, 4b) móvil previsto en el recipiente que porta al menos un sustrato, y un dispositivo de transporte para transportar el portador al interior del recipiente o desde el recipiente a lo largo...

  3. 3.-

    INSTALACION DE REVESTIMIENTO Y SISTEMA DE CONDUCCION DE GAS

    (01/2010)

    Instalación de revestimiento, especialmente instalación de revestimiento por PECVD, que comprende una cámara de proceso y un sistema de conducción de gas para el suministro y/o la evacuación de un gas a o de la cámara de proceso de la instalación de revestimiento, presentando el sistema de conducción de gas al menos una abertura de alimentación para alimentar gas al sistema de conducción de gas o para evacuar gas del sistema de conducción de gas , al menos dos aberturas de salida (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) para evacuar el gas del sistema de conducción...

  4. 4.-

    APARATO DE TIPO ROBOT.

    (07/1999)
    Inventor/es: LOWRANCE, ROBERT B. Clasificación: H01L21/00, B25J21/00.

    UN APARATO DE ROBOT QUE CONSTA DE UNA CAMARA DE VACIO CON ROBOT QUE TIENE UNA PARED EXTERIOR , UNA PARED SUPERIOR Y UNA PARED INFERIOR ; UN ROBOT COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO Y UN SOPORTE COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO QUE SE EXTIENDE DESDE LA PARED SUPERIOR HASTA LA PARED INFERIOR , DE MODO QUE CUANDO SE PRODUCE EL VACIO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO , DICHO SOPORTE REDUCE SIGNIFICATIVAMENTE EL DESPLAZAMIENTO VERTICAL DE DICHAS PAREDES SUPERIOR E INFERIOR EN UNA PRESION AMBIENTE.

  5. 5.-

    REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA.

    (03/1999)
    Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., RODERICK, CRAIG A., YANG, CHAN-LON, WANG, DAVID N.K., MAYDAN, DAN. Clasificación: H01J37/32, C23C16/50, H01H1/46.

    SE DESCRIBE UN REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA QUE INCORPORA UNA ESTRUCTURA INTEGRADA DE LINEA DE TRANSMISION COAXIAL QUE EFECTUA UN ACOPLAMIENTO DE LINEA DE TRANSMISION MUY CORTO Y CON POCA PERDIDA DE UNA ENERGIA ELECTRICA DE CA A LA CAMARA DE PLASMA Y ASI PERMITE EL USO EFECTIVO DE FRECUENCIAS VHF/UHF PARA GENERAR UN PLASMA. EL USO DE FRECUENCIAS DE VHF/UHF DENTRO DEL MARGEN DE 50 Y 800 MEGAHERZIOS PROPORCIONA INDICES DE PROCESAMIENTO COMERCIALMENTE VIABLES (CORROSION Y DEPOSICION SEPARADA O SIMULTANEA) Y UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN VOLTAJES DE VAINA COMPARADO CON LAS FRECUENCIAS CONVENCIONALES COMO 13.56 MHZ. COMO RESULTADO, LA PROBABILIDAD DE DAÑAR LOS DISPOSITIVOS DE TAMAÑO PEQUEÑO SENSIBLES A LA ELECTRICIDAD QUEDA REDUCIDA.

  6. 6.-

    METODO Y APARATO PARA ENFRIAR UN DISPOSITIVO DE VACIO

    (06/1998)
    Inventor/es: SHINBO, TAKESHI, TAKAHAMA, HIROZUKI. Clasificación: F04B37/08.

    UNA ESTRUCTURA REFRIGERANTE PARA UN DISPOSITIVO DE VACIO INCLUYE UNA PORCION DE BASTIDOR EXTERNA, POSICIONADA ENTRE LA PESTAÑA O BRIDA DE LA CAMARA DE VACIO Y LA PESTAÑA O BRIDA DE LA BOMBA GRIOGENICA; UN PANEL DE ENFRIAMIENTO , FORMADO EN UNA DIVISION CIRCUNDADA POR EL CITADO BASTIDOR EXTERNO, TENIENDO EL PANEL DE ENFRIAMIENTO AL MENOS UNA ABERTURA QUE PERMITE EL FLUJO DE FLUIDO ENTRE LA CITADA CAMARA DE VACIO Y LA CITADA BOMBA CRIOGENICA ; UN MEDIO DE ENFRIAMIENTO , POSICIONADO EN CONTACTO CON UNA SUPERFICIE DEL PANEL DE ENFRIAMIENTO PERIFERICO EXPUESTO, PARA ENFRIAR EL CITADO PANEL DE ENFRIAMIENTO ; Y UN MEDIO DE ALIMENTACION DE FLUIDO REFRIGERANTE PARA SUMINISTRAR FLUIDO REFRIGERANTE AL MEDIO DE ENFRIAMIENTO.

  7. 7.-

    PROCESO Y APARATO DE PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE PARA EL ATAQUE QUIMICO DE OXIDOS

    (05/1998)
    Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., MARKS, JEFFREY. Clasificación: H01J37/32.

    SE DESCRIBE UN APARATO PARA LA PRODUCCION DE UN PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE QUE CONSTA DE UNA CAMARA QUE TIENE UN BLINDAJE DIELECTRICO EN UNA PARED DE LA MISMA Y UNA BOBINA PLANA COLOCADA FUERA DE DICHA CAMARA ACOPLADA A UNA FUENTE DE RADIOFRECUENCIA , CON LO QUE UN DEPURADOR DE FLUOR SE MONTA O AÑADE A DICHA CAMARA . CUANDO SE ATACA CON UN PLASMA DE UN GAS DE FLUOHIDROCARBURO UN OXIDO DE SILICIO, EL DEPURADOR DE FLUOR REDUCE LOS RADICALES LIBRES DE FLUOR, LO QUE MEJORA LA SELECTIVIDAD Y ANISOTROPIA DEL ATAQUE Y MEJORA LA VELOCIDAD DEL ATAQUE AL TIEMPO QUE REDUCE LA FORMACION DE PARTICULAS.

  8. 8.-

    MONTAJE ROBOT

    (11/1997)
    Inventor/es: GRUNES, HOWARD. Clasificación: B25J9/10.

    SE DESCRIBE UN MONTAJE ROBOT QUE INCLUYE UN CUBO CENTRAL ,CON DOS BRAZOS DISPUESTOS PARA UNA ROTACION INDEPENDIENTE SOBRE EL CUBO. DOS TRANSPORTADORES ORIENTADOS 180 S,EN DIRECCIONES OPUESTAS PARA EXTENDER UNO DE LOS TRANSPORTADORES RADIALMENTE DESDE EL CUBO CENTRAL, Y PARA ROTAR LOS BRAZOS EN LA MISMA DIRECCION Y ASI EFECTUAR LA ROTACION DE LOS TRANSPORTADORES.

  9. 9.-

    APARATO PARA LA DEPOSICION POR VAPOR DE PLASMA REACTIVO POR CC DE UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE UTILIZANDO UN ANODO SECUNDARIO BLINDADO

    (10/1997)

    EN UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR DE PLASMA PARA DEPOSITAR UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE SEGUN UN PROCESO DE PULVERIZACION DE CC EL PLASMA SE ESTABILIZA, MANTENIENDO SU EFICIENCIA DE PULVERIZACION GRACIAS A LA PRESENCIA DE UN ANODO SECUNDARIO , PREFERENTEMENTE MANTENIDO A UNA POLARIZACION POSITIVA RESPECTO AL ANODO PRIMARIO . EL ANODO SECUNDARIO SE BLINDA DE LA EXPOSICION AL CHORRO DE MATERIAL PULVERIZADO SI BIEN QUEDA SITUADO LO SUFICIENTEMENTE CERCA DE LA DESCARGA DE PLASMA PARA ATRAER A LOS ELECTRONES DEL PLASMA Y MANTENER ASI SU EQUILIBRIO DE CARGA. EN UNA PULVERIZACION REACTIVA, LA CAMARA DE PULVERIZACION CONTIENE TANTO UN GAS DE PULVERIZACION, POR EJEMPLO ARGON, Y UN GAS REACTIVO,...

  10. 10.-

    DISPOSITIVO SELLADOR Y METODO UTIL EN UN APARATO DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES PARA PUENTEAR MATERIALES QUE TENGAN UN DIFERENCIAL DE EXPANSION TERMICA

    (08/1997)

    LA INVENCION PERTENECE A UN APARATO Y A UN METODO UTIL EN EL PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES. EL APARATO Y EL METODO PUEDEN UTILIZARSE PARA SUMINISTRAR UN SELLAMIENTO QUE HAGA POSIBLE QUE UNA PRIMERA PARTE DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA PRIMERA PRESION MIENTRAS QUE UNA SEGUNDA PARTE DE LA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES FUNCIONE A UNA SEGUNDA PRESION DIFERENTE. EL APARATO SELLADOR Y EL METODO PRESENTADO HACEN POSIBLE EL PROCESAMIENTO DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR BAJO UN VACIO PARCIAL QUE HACE IMPRACTICABLE...

  11. 11.-

    PROCESO QUE UTILIZA UN PLASMA, METODO Y APARATO.

    (07/1997)
    Inventor/es: MAYDAN, DAN, MINTZ, DONALD M., HANAWA, HIROJI, SOMEKH, SASSON. Clasificación: H01J37/32, H05H1/46.

    UN PROCESO DE PLASMA, METODO Y APARATO CAPACES DE OPERACION SIGNIFICATIVAMENTE POR ENCIMA DE 13'56 MHZ PUEDE PRODUCIR VOLTAJE DE POLARIZACION AUTOMATICA DE REJILLA REDUCIDO DEL ELECTRODO ACTIVADO, PARA HABILITAR PROCESOS MAS SUAVES QUE NO DAÑEN CAPAS FINAS QUE ESTAN CONSTANTEMENTE SIENDO COMUNES EN CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN VELOCIDAD Y DE GRAN DENSIDAD. SE UTILIZA UNA RED NO CONVENCIONAL SEMEJANTE PARA HABILITAR LA ELIMINACION DE REFLEXIONES A ESTAS FRECUENCIAS SUPERIORES. EL CONTROL AUTOMATICO DE LOS COMPONENTES DE LA RED SEMEJANTE HABILITA EL AJUSTE DE LA FRECUENIA DE RF PARA INFLAMAR EL PLASMA, Y DESPUES ACTUAR A UNA FRECUENXIA VARIABLE SELECCIONADA PARA REDUCIR AL MINIMO EL TIEMPO DEL PROCESO SIN DAÑO SIGNIFIVATIVO AL CIRCUITO INTEGRADO.

  12. 12.-

    PROCESO DE PULVERIZACION PARA FORMAR UNA CAPA DE ALUMINIO SOBRE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA ESCALONADA.

    (05/1997)

    ES UN PROCESO DE PULVERIZACION DE ALUMINIO ESCALONADO, EL ALUMINIO SE PULVERIZA SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA Y CAPAS BAJAS ENTRE LAS PARTES LEVANTADAS DE POCO PASO DE LA PLAQUITA , DE MODO QUE LOS ESCALONES SEPARADOS DE POCO PASO, ZANJAS ESTRECHAS, O VIAS DE PEQUEÑO DIAMETRO, QUEDAN COMPLETAMENTE RELLENADAS CON EL ALUMINIO PULVERIZADO . ESTO DA COMO RESULTADO EL QUE SE FORME UNA CAPA DE ALUMINIO QUE NO PUEDA MAS FINA EN TALES ZONAS MAS BAJAS, Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE VARIA ENTRE UNA PENDIENTE PLANA Y UNA PENDIENTE POSITIVA TAL Y COMO SE MUESTRA EN (24') Y (26') EN LA FIGURA 2. EL PRIMER PASO SE LLEVA A CABO PULVERIZANDO DE UNOS 20...

  13. 13.-

    METODO PARA LA FORMACION DE UNA CAPA BARRERA DE TIN CON ORIENTACION CRISTALOGRAFICA PREFERENTE (111).

    (03/1997)
    Inventor/es: NULMAN, JAIM, NGAN, KENNY KING-TAI. Clasificación: H05K3/02.

    SE DESCRIBE UN PROCESO PARA FORMAR, SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICIO, UNA CAPA BARRERA DE NITRURO DE TITANIO CON UNA SUPERFICIE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA . EL PROCESO COMPRENDE: DEPOSITAR UNA PRIMERA CAPA DE TITANIO SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICIO ; PULVERIZAR UNA CAPA DE NITRURO DE TITANIO SOBRE LA CAPA DE TITANIO ; DEPOSITAR UNA SEGUNDA CAPA DE TITANIO SOBRE LA CAPA DE NITRURO DE TITANIO PULVERIZADA; Y ENTONCES ENDURECER LA ESTRUCTURA EN PRESENCIA DE UN GAS QUE CONTIENE NITROGENO Y EN AUSENCIA DE UN GAS QUE CONTENGA OXIGENO, PARA FORMAR EL DESEADO NITRURO DE TITANIO CON UNA SUPERFICIE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA Y UN GROSOR SUFICIENTE PARA PROVEER PROTECCION DEL SILICIO QUE ESTA DEBAJO CONTRA PERFORACION POR EL ALUMINIO. CUANDO UNA CAPA DE ALUMINIO SE FORMA TRAS ESTO SOBRE LA SUPERFICIE DE NITRURO DE TITANIO ORIENTADA , EL ALUMINIO ENTONCES ASUMIRA LA MISMA ORIENTACION CRISTALOGRAFICA , LO QUE RESULTA UNA CAPA DE ALUMINIO CON RESISTENCIA MEJORADA A LA ELECTROMIGRACION.

  14. 14.-

    UN METODO PARA AUMENTAR LAS PROPIEDADES DE UNA PELICULA DELGADA EN UN SUSTRATO.

    (02/1997)
    Inventor/es: GILBOA, HAIM, MOSELY, RODERICK C. Clasificación: C23C14/56, C23C14/58.

    LAS PROPIEDADES DE UNA PELICULA DELGADA DE MATERIAL DEPOSITADO AL VACIO, COMO EL NITRURO DE TITANIO, EN UN SUSTRATO SE AUMENTAN MEDIANTE RECOCCION POR PLASMA O TERMICA DE LA PELICULA DELGADA SIN ELIMINAR LA PELICULA DEL MEDIO DE VACIO. EL PASO DE RECOCCION PUEDE REALIZARSE EN LA MISMA CAMARA DE VACIO QUE LA DEPOSICION DE EROSION, O EN UNA CAMARA DE VACIO DIFERENTE, SIEMPRE Y CUANDO EL SUSTRATO PUEDA TRANSFERIRSE ENTRE CAMARAS PERMANECIENDO EN UN MEDIO DE VACIO.

  15. 15.-

    METODO PARA PREPARAR UNA PANTALLA PARA REDUCIR PARTICULAS EN UNA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO

    (02/1997)

    EN UN METODO PARA PREPARA UNA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE PREVIO AL USO EN UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR FISICO, LA PANTALLA Y/O ANILLO DE APRIETE SE INYECTA PRIMERO EN ESCORIA UTILIZANDO UN POLVO ABRASIVO, A CONTINUACION SE TRATA EN UNA CAMARA DE LIMPIEZA ULTRASONICA PARA ELIMINAR PARTICULAS SUELTAS Y DESPUES UN CHISPORROTEADO CON ACIDO O TRATATO CON UN PLASMA. EL CHISPORROTEO O EL TRATAMIENTO DE PLASMA SIRVE A SOLTAR CONTAMINACION QUE PUEDE FORMAR UNA BARRERA DE DIFUSION Y PREVENIR LOS DEPOSITOS A PARTIR DE EL...

  16. 16.-

    ROBOT ACOPLADO MAGNETICAMENTE DE DOS EJES.

    (10/1996)
    Inventor/es: LOWRANCE, ROBERT B. Clasificación: B25J9/12, B25J9/10, B25J21/00.

    UN ROBOT QUE TIENE UN PAR DE ACOPLAMIENTOS MAGNETICOS QUE ACOPLA CADA UNO UN MOTOR EN UNA PRIMERA CAMARA CILINDRICA A UN ANILLO CILINDRICO ASOCIADO SEPARADO CERCA DE LA PARED CILINDRICA DE DICHA PRIMERA CAMARA . EL ROBOT INCLUYE UN MECANISMO PARA CONVERTIR LA ROTACION DE CADA UNO DE ESTOS ANILLOS EN MOVIMIENTOS SEPARADOS DEL ROBOT. EN LA VERSION PREFERIDA, ESTOS MOVIMIENTOS SEPARADOS SON RADIALES Y ROTACIONALES. TAL CONSTRUCCION PERMITE REDUCIR LA CANTIDAD DE PRODUCCION DE PARTICULAS POR TAL ROBOT.

  17. 17.-

    PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO EN UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

    (10/1996)

    SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO; TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA...

  18. 18.-

    SISTEMA DE PULVERIZACION.

    (10/1996)
    Inventor/es: TEPMAN, AVI, PARKER, NORMAN WILLIAM. Clasificación: H01J37/34.

    UN SISTEMA DE PULVERIZACION TIENE UNA FUENTE DE PULVERIZACION DE MAGNETRONES PLANAS QUE TIENE UN PAR DE PIEZAS POLARES CONFIGURADAS PARA PRODUCIR UN RECUBRIMIENTO UNIFORME, UNA COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE Y UNA UNIFORMIDAD DE COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE DE UNA PLAQUITA . ENTRE LAS DOS PIEZAS POLARES HAY UN HUECO DENTRO DEL CUAL EL CAMPO MAGNETICO Y EL CAMPO ELECTRICO PRODUCEN UNA TRAMPA DE ELECTRONES. LA FORMA DEL HUECO PRODUCE UNA PROFUNDIDAD DE PERFIL PULVERIZADOR EN EL BLANCO QUE DA COMO RESULTADO UN RECUBRIMIENTO UNIFORME, UNA COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE Y UNA UNIFORMIDAD DE COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE. LA PIEZA POLAR EXTERIOR TIENE FORMA DE TAZON EN SECCION TRANSVERSAL CON UN REBORDE SUSTANCIALMENTE COPLANAR CON UNA PIEZA POLAR INTERIOR PLANAR.

  19. 19.-

    APARATO DE PROCESAMIENTO EN VACIO, TENIENDO RENDIMIENTO PERFECCIONADO

    (10/1996)

    EL DESCUBRIMIENTO SE REFIERE A UN METODO PARA DEPOSITAR PELICULAS FINAS SOBRE SUSTRATOS DE VIDRIO MEDIANTE DEPOSICION UNICA DE SUSTRATOS, COMPRENDIENDO LA CARGA DE UN LOTE DE SUSTRATOS EN UNA CAMARA DE CIERRE DE CARGA Y EVACUANDO LA CAMARA, TRANSFIRIENDO LOS SUSTRATOS A UNA CAMARA DE CALENTAMIENTO DE LOTES PARA CALENTAR LOS SUSTRATOS A TEMPERATURAS ELEVADAS; TRANSFIRIENDO LOS SUSTRATOS DE VIDRIO DE UNO EN UNO A UNA O MAS CAMARAS DE PROCESAMIENTO DE SUSTRATOS UNICOS Y TRANSFIRIENDO SECUENCIALMENTE LOS SUSTRATOS DE RETORNO A LA CAMARA DE CIERRE DE CARGA, DONDE SON ENFRIADOS EN LOTES. EL DESCUBRIMIENTO TAMBIEN SE REFIERE A UN SISTEMA DE VACIO PARA REALIZAR EL METODO, E INCLUYE UNA CAMARA DE ENFRIAMIENTO/CIERRE DE CARGAS (14A, 14B) PARA EVACUAR...

  20. 20.-

    METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO.

    (10/1996)
    Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/311, H01L21/314.

    SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

  21. 21.-

    METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA INTEGRADA.

    (10/1996)
    Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/316, H01L21/311, H01L21/314.

    SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

  22. 22.-

    METODO Y DISPOSITIVO PARA QUITAR EL EXCESO DE MATERIAL EN UNA CAMARA DE DEPOSITO FISICO DE VAPOR.

    (10/1996)
    Inventor/es: MAYDAN, DAN, SOMEKH, SASSON. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56, C23C14/22.

    METODO PARA LA LIMPIEZA EN SITU DEL EXCESO DEL MATERIAL DEPOSITADO EN EL ANODO, EN UNA CAMARA DE DEPOSICION FISICA DE VAPOR , DURANTE UN CICLO DE LIMPIEZA, EN LA QUE SE HA EFECTUADO EL VACIO EN DICHA CAMARA . UNA MEZCLA DE GAS QUE INCLUYE UN GAS REACTIVO, SE INTRODUCE DENTRO DE LA CAMARA DE DEPOSITO FISICO DE VAPOR . EL GAS REACTIVO SE ACTIVA MEDIANTE LA DESCARGA DE PLASMA. DURANTE LA LIMPIEZA, LA MEZCLA DE GAS ES CAMBIADA DE FORMA CONTINUA EN LA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR , JUNTO CON LOS PRODUCTOS DE REACCION.

  23. 23.-

    PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

    (09/1996)

    PRESENTAMOS UN PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR MIENTRAS SE INHIBE LA FORMACION DE VACIOS EN LA CAPA DE OXIDO QUE LLEVA EL DEPOSITO DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA, LA CUAL LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES LLEVA O SUB 3 Y TETRAETILORTHOSICICATO COMO FUENTE DE...

  24. 24.-

    FABRICACION DE UN SEMICONDUCTOR.

    (07/1996)

    LA INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA PARA BOMBEAR HACIA ABAJO EL GAS A PRESION QUE SE ENCUENTRA, TRAS UNA INTERRUPCION, EN LA TUBERIA UTILIZA PARA PROPORCIONAR UNA CORRIENTE DE GAS PARA CALENTAR/REFRIGERAR LA RODAJA LATERAL POSTERIOR DURANTE LA ELABORACION DE LA RODAJA SEMICONDUCTORA . EL SISTEMA INCLUYE UNA TUBERIA SECUNDARIA QUE SE PUEDE SELECCIONAR CON UNA VALVULA PARA IGUALAR, EN CASO DE QUE OCURRA UNA INTERRUPCION, CUALQUIER DIFERENCIA DE PRESIONES QUE PUEDA DARSE EN LA TUBERIA DE GAS PRINCIPAL ENTRE LA CAMARA DE PROCESO Y EL ELEMENTO DE CALENTAMIENTO DE LA PARTE LATERAL POSTERIOR . LA TUBERIA SECUNDARIA SE EXTIENDE DESDE UNA ABERTURA QUE HAY EN LA PARED DE LA CAMARA...

  25. 25.-

    PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA

    (07/1996)

    ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR , UNA CAPA DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE...

  26. 26.-

    MECANISMO DE FIJACION PARA LA DEPOSICION DE VAPOR POR UN PROCEDIMIENTO FISICO Y CALENTADOR/REFRIGERADOR.

    (07/1996)
    Inventor/es: GRUNES, HOWARD, TEPMAN, AVI, ANDREWS, DANA. Clasificación: H01L21/00.

    UN ANILLO DE FIJACION Y UNA PLACA DE TEMPERATURA REGULADA PARA FIJAR UN DISCO A LA PLACA Y REGULAR LA TEMPERATURA DEL DISCO . LA FUERZA DEL ANILLO DE FIJACION CONTRA EL DISCO SE PRODUCE SOLO POR EL PESO DEL ANILLO DE FIJACION . UN TECHO PROTEGE TODAS LAS REGIONES DE CONTACTO EXCEPTO UNAS POCAS DE LA INTERFASE ENTRE EL DISCO Y LA ABRAZADERA PARA RECOGER LAS PARTICULAS DE DEPOSICION DE TAL FORMA QUE EL REVESTIMIENTO FORMADO EN EL DISCO HAGA UN CONTACTO CONTINUO CON EL ANILLO DE FIJACION SOLAMENTE EN POCAS REGIONES ESTRECHAS QUE ACTUAN COMO PUENTES CONDUCTORES CUANDO LA CAPA DE DEPOSICION ES CONDUCTORA.

  27. 27.-

    SISTEMA DE REACTOR TERMICO RESISTENTE A LA PRESION PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES

    (07/1996)

    EL DESCUBRIMIENTO ES RELATIVO UN SISTEMA DE REACTOR TERMICO PARA PROCESAR SEMICONDUCTORES, EL CUAL INCORPORA UNA VASIJA DE REACCION CON UN TUBO DE CUARZO RECTANGULAR CON UN ESCUDETE DE CUARZO PARALELO REFORZANDOLO. LOS ESCUDETES HABILITAN UN SUB-AMBIENTE DE PRESION DE PROCESO, MIENTRAS QUE LOS TUBOS RECTANGULARES MAXIMIZAN EL FLUJO DE GAS REACTIVO, UNIFORMEMENTE SOBRE EL SUSTRATO QUE SE PROCESA. LOS ESCUDETES FACILITAN EL ENFRIAMIENTO EFECTIVO, MIENTRAS QUE IMPARTEN MINIMAMENTE CALENTAMIENTO DESDE LA VASIJA, PERMITIENDO ESPESORES MINIMOS DE LA PARED. EL SISTEMA DE REACTOR TERMICO INCLUYE ADICIONALMENTE UNA FUENTE PARA SUMINISTRAR...

  28. 28.-

    CALENTAMIENTO DE OBLEAS, SISTEMA DE CONTROL Y METODO DE FUNCIONAMIENTO.

    (06/1996)
    Inventor/es: MAYDAN, DAN, NULMAN, JAIM. Clasificación: H01L21/00.

    LA TEMPERATURA DE UN DISCO SEMICONDUCTOR DURANTE EL RECOCIDO DE METALIZACION SE CONTROLA PRECISA E INDIRECTAMENTE SOSTENIENDO EL DISCO EN UN SUSCEPTOR DELGADO DE PODER EMISOR CONSTANTE Y CONTROLANDO LA TEMPERATURA DEL SUSCEPTOR . EL SISTEMA TIENE LA VENTAJA AÑADIDA DE PROPORCIONAR UN CALENTAMIENTO EFICIENTE Y CONTROLADO DEL DISCO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO RADIANTE DE LA CARA TRASERA DEL SUSCEPTOR.

  29. 29.-

    PROCEDIMIENTO DE AUTOLIMPIEZA DE CAMARA DE REACTOR.

    (03/1996)
    Inventor/es: LAW, KAM SHING, LEUNG, CISSY, TANG, CHING CHEONG, COLLINS, KENNETH STUART, CHANG, MEI, WONG, JERRY YUEN KUI, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/00, C23C16/50, H01L21/314.

    EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.

  30. 30.-

    APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

    (02/1996)

    LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UN APARATO DE DEPOSITACION O GRABACION QUIMICA QUE INCLUYE UN MECANISMO OBTURADOR DISPUESTO EN EL INTERIOR DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO Y ADAPTADO PARA SOPORTAR UNA PLACA OBTURADORA ENTRE UNA POSICION RETRAIDA Y UNA POSICION EXTENDIDA EN LA QUE ES ENGANCHADA POR UN DISPOSITIVO ELEVADOR Y MOVIDA A SU SITIO CERRANDO LA ABERTURA DE METALIZACION NORMAL COMO SI FUERA UN SUBSTRATO A SER PROCESADO. CUANDO UN NUEVO SUBSTRATO ESTA PRESENTE PARA SU PROCESAMIENTO, EL MECANISMO ELEVADOR HARA DESCENDER LA PLACA DEL OBTURADOR DE NUEVO SOBRE EL MECANISMO DE OBTURACION Y SERA LLEVADA HASTA SU POSICION RETRAIDA FUERA DEL CAMINO DE LA OPERACION DE PROCESAMIENTO...

  31. 31.-

    METODO Y APARATO PARA MANIPULAR DISCOS SEMICONDUCTORES.

    (12/1995)

    SE DESCRIBEN UN METODO Y UN APARATO PARA MANEJAR DISCOS SEMICONDUCTORES, UTILIZADOS PARA LA PRODUCCION DE ESTRUCTURAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS, QUE PERMITEN EL MOVIMIENTO DEL DISCO DESDE UNA ESTACION O POSICION DE PROCESAMIENTO A OTRA, SIN LA MANIPULACION DIRECTA DEL DISCO , Y QUE TAMBIEN PERMITEN IGUAL PROCESAMIENTO DE LAS SUPERFICIES SUPERIOR Y DE FONDO DEL DISCO . SE DESCRIBE UN UN ANILLO DE RETENCION DEL DISCO , QUE DISPONE DE MEDIO PARA ACOPLAR EL ANILLO DE RETENCION PARA TRANSFERIR EL DISCO Y EL ANILLO DE RETENCION DESDE UNA ESTACION DE PROCESAMIENTO A OTRA, PARA EJECUTAR...

  32. 32.-

    METODO PARA PREPARAR UN BLINDAJE PARA REDUCIR LAS PARTICULAS EN UNA CAMARA FISICA DE DEPOSITACION DE VAPOR.

    (11/1995)
    Inventor/es: MINTZ, DONALD M., GILBOA, HAIM, TALIEH, HUMOYOUN. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56, C23C14/02, C23C14/22.

    EN UN METODO PARA PREPARAR UN BLINDAJE PARA SU USO EN UN PROCESO FISICO DE DEPOSITACION DE VAPOR, EL BLINDAJE SE LIMPIA MEDIANTE UN PROCESO DE EROSION POR ACIDO PARA INCREMENTAR LA ADHESION DE LOS DEPOSITOS EN EL PROCESO FISICO DE DEPOSITACION DE VAPOR. LA LIMPIEZA MEDIANTE EROSION POR ACIDO SIRVE PARA DESPRENDER LA CONTAMINACION QUE PODRIA FORMAR UNA BARRERA DE DIFUSION Y EVITAR QUE LOS DEPOSITOS SE UNIERAN AL BLINDAJE. TAMBIEN LA LIMPIEZA MEDIANTE EROSION POR ACIDO CREA UN ALTO GRADO DE MICRORUGOSIDADES. LA ASPEREZA PERMITE UN INCREMENTO EN LOS LUGARES DE NUCLEACION QUE MINIMIZA LA FORMACION DE ESPACIOS VACIOS INTERMEDIOS. ADEMAS DE SER LIMPIADO MEDIANTE UN PROCESO DE EROSION POR ACIDO, EL BLINDAJE PUEDE EXPONERSE A LA ACCION DE UN CHORRO DE PARTICULAS. LA EXPOSICION AL CHORRO DE PARTICULAS HACE LA SUPERFICIE DEL BLINDAJE IRREGULAR. TODO ELLO MEJORA LA SEPARACION DE LA SUPERFICIE DE CONTACTO DEL MATERIAL DEPOSITADO EN UNA ESCALA MICROSCOPICA, DANDO COMO RESULTADO UN MENOR DESMENUZAMIENTO.

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