CIP-2021 : H01S 1/02 : sólidos.

CIP-2021HH01H01SH01S 1/00H01S 1/02[1] › sólidos.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.

H01S 1/00 Máser, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de microondas.

H01S 1/02 · sólidos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento para la generación de ondas portadoras electromagnéticas del orden de terahercios.

(26/11/2015) Procedimiento para la generacion de una onda portadora electromagnetica adecuada para la transmision inalambrica de datos en un rango de frecuencias entre 0,1 y 10 terahercios, que en un proceso de generacion se producen, por medio de una onda con efecto bomba electromagnetica , por lo menos dos ondas mezcla que tienen una diferencia de frecuencia definida, en el que dicha onda con efecto bomba puede constituir por si misma una de las ondas mezcla , de manera que la onda portadora es generada por mezcla de frecuencias, como en particular por mezcla de frecuencia de diferencia de las ondas mezcla caracterizado porque, como minimo, una de las ondas mezcla es generada en un proceso de generacion opticamente no lineal excitado por la onda bomba a saber, la dispersion Raman que tiene lugar dentro de un cristal no…

Dispositivo láser de emisión de ondas terahercios.

(25/04/2012) Dispositivo láser de emisión de onda en una gama de frecuencia comprendida entre 0,5 THz y THz queincluye una heteroestructura semiconductora , siendo dicha heteroestructura de forma cilíndrica de seccióncircular, e incluyendo: - una primera capa de material semiconductor ópticamente no lineal que incluye medios emisores , - una segunda capa y una tercera capa de material semiconductor que presenta cada una un índiceóptico más bajo que el índice del material utilizado para dicha primera capa y situadas sobre una parte yotra de dicha primera capa ; - al menos una capa metálica situada en un extremo de dicha heteroestructura , caracterizada porque estos medios emisores son aptos para emitir en al menos dos modos de galería ópticos quepertenecen al infrarrojo cercano, estando dichos al menos dos modos de galería confinados en…

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