Dispositivo de PHEMT de enriquecimiento/empobrecimiento y método de fabricación del mismo.

(23/07/2014) Estructura epitaxial estratificada para dispositivos (1; 1') de PHEMT de enriquecimiento y empobrecimiento, que comprende: * una capa de superred y tampón; * una capa barrera de soporte no dopada formada sobre la capa de superred y tampón y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta de soporte dopada formada sobre la capa barrera de soporte; * una capa separadora de soporte no dopada formada sobre la capa de dopado delta de soporte y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa canal no dopada formada sobre la capa separadora de soporte y compuesta por indio galio arsénido (InGaAs); * una capa separadora no dopada formada sobre la capa canal y compuesta por aluminio galio arsénido (AlGaAs); * una capa de dopado delta formada…