CIP-2021 : C30B 29/16 : Oxidos.
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Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54: - En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.
C30B 29/16 · · Oxidos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento y dispositivo de tratamiento de la superficie libre de un material.
(09/10/2019) Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material, que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E2) de barrido de la superficie libre del material por el primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) seguida por una etapa (E3) de evacuación del primer flujo por al menos una zona de evacuación (103a-103d), caracterizado por que comprende, simultáneamente a la etapa (E1) de emisión del primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E4) de emisión de al menos un segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) formando una cubierta de protección por encima de la superficie libre del material , separada de dicha superficie libre y una etapa (E6) de evacuación del segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) por una parte superior de dicha zona de evacuación (103a-103d) de un recipiente , siendo evacuado…
Nucleación y crecimiento cristalino dirigidos a partir de una solución usando materiales amorfos de energía superficial modificada.
(24/07/2019). Solicitante/s: Denovx, LLC. Inventor/es: BOND,ANDREW H, SCHAAB,KEVIN M.
Un procedimiento para iniciar la nucleación primaria heterogénea de cristales de un soluto a partir de una solución del soluto que comprende poner en contacto la solución del soluto con un sustrato que tiene una superficie heterogénea amorfa, en el que la superficie heterogénea amorfa del sustrato:
1) incorpora una matriz de sitios de nucleación uniforme preformada;
2) se sitúa en contacto directo con una solución que comprende el soluto que se cristaliza en condiciones que son estáticas, dinámicas, o de flujo, o las combinaciones de las mismas;
y
3) es químicamente resistente a la disolución en la solución.
PDF original: ES-2749603_T3.pdf
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (beta-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida dentro de un crisol metálico controlando la presión parcial de O2.
(26/06/2019) Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende las etapas de:
- proporcionar en una cámara de crecimiento un sistema térmico u horno de crecimiento que comprende el crisol metálico que contiene el material de partida de Ga2O3 , un aislamiento térmico que rodea al crisol metálico y un calentador dispuesto alrededor del crisol metálico ;
- proporcionar o crear un germen cristalino dentro del horno de crecimiento ;
- introducir por lo menos en el horno de crecimiento una atmósfera de crecimiento que contiene oxígeno;
- calentar el crisol metálico mediante el calentador , que a su vez calienta el…
Partículas de óxido de zinc en forma de cilindro hexagonal, procedimiento de producción para las mismas, y material cosmético, relleno disipador de calor, composición de resina disipadora de calor, grasa disipadora de calor y composición de revestimiento disipadora de calor que contienen la misma mezcla.
(12/06/2019). Solicitante/s: SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.. Inventor/es: WATANABE, NOBUO, SUEDA,SATORU, HASHIMOTO,MITSUO, TERABE,ATSUKI, MAGARA,KOICHIRO.
Partículas de óxido de zinc con forma de prisma hexagonal que tienen un diámetro de partícula primaria de 0,1 μm o más y menos de 0,5 μm y una relación de aspecto de menos de 2,5, donde la D90/D10 en la distribución del tamaño de partícula 5 es 2,4 o menos.
PDF original: ES-2736274_T3.pdf
Nanobarra de óxido de indio.
(11/02/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: Hsu, Kuo-Ming. Inventor/es: HSU,KUO-MING.
Un sustrato que porta nanobarras de óxido de indio, que comprende:
un sustrato (SUB); y
una pluralidad de nanobarras (R) de óxido de indio dispuestas sobre el sustrato (SUB), comprendiendo cada una de las nanobarras (R) de óxido de indio:
una porción inferior (BP);
una porción superior (TP) opuesta a la porción inferior (BP); y
una porción de conexión (CP) conectada entre la porción inferior (BP) y la porción superior (TP), en el que un diámetro promedio de la porción superior (TP) es mayor que un diámetro promedio de la porción de conexión (CP) y un diámetro promedio de la parte inferior (BP), estando la nanobarra (R) de óxido de indio caracterizado porque una anchura (W) de la parte de conexión (CP) disminuye gradualmente en una dirección desde la parte superior (TP) a la parte inferior (BP), y la parte inferior (BP) de cada una de las nanobarras de óxido de indio (R) está en contacto con el sustrato (SUB).
PDF original: ES-2699373_T3.pdf
FABRICACIÓN DE NANOPARTÍCULAS DE ÓXIDOS METÁLICOS DISPERSAS SOBRE FIBRAS.
(07/02/2019). Solicitante/s: UNIVERSIDAD EAFIT. Inventor/es: ALVAREZ LAINEZ,Monica Lucia, CANO FRANCO,Julieth Carolina.
La presentación invención está relacionada con un método para la obtención de nanopartículas de óxidos metálicos dispersas en fibras que comprenden preparar un gel estable a partir de precursores de nanopartículas, sumergir las fibras en el gel estable y someter a un tratamiento hidrotérmico hasta recubrir las fibras con las nanopartículas de manera homogénea. Las fibras obtenidas son empleadas en la degradación de contaminantes orgánicos.
Partículas de tetraóxido de manganeso (III, IV) y método para producirlas.
(17/09/2018). Solicitante/s: TOSOH CORPORATION. Inventor/es: IWATA,EIICHI, YAMASHITA,MIKI, DOI,MASAHARU.
Partículas de tetraóxido de trimanganeso poroso que llevan partículas primarias de tetraóxido de trimanganeso aglomeradas, cuyo tamaño medio de partícula primaria es como máximo de 2 μm, siendo el volumen de poro de al menos 0,5 ml/g, medido mediante una técnica de intrusión de mercurio.
PDF original: ES-2681976_T3.pdf
PROCEDIMIENTO DE CRISTALIZACIÓN.
(22/11/2011) Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior de un sustrato , b) depósito de al menos una capa metálica , de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada , estando constituida la parte superior del sustrato , después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada , que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte superior…
NUEVAS COMPOSICIONES PARTICULARES DE OXIDO DE TIERRAS RARAS, SU PREPARACION Y APLICACION.
(01/01/1991). Solicitante/s: RHONE-POULENC CHIMIE. Inventor/es: DEMAZEAU, GERARD, MARTEL, OLIVIER, DEVALETTE, MICHEL, VERDON, ERIC.
COMPOSICIONES PARTICULARES DE OXIDO DE TIERRAS RARAS, CARACTERIZADAS POR EL HECHO DE QUE LAS PARTICULAS SE PRESENTAN BAJO LA FORMA DE MONOCRISTALES DE TALLA Y MORFOLOGIA HOMOGENEAS CUYAS DIMENSIONES SON INFERIORES O IGUALES A 10 MICRAS Y SUPERIORES A 0,05 MICRAS, Y QUE AL MENOS UN 80% DE LAS PARTICULAS TIENEN DIMENSIONES QUE VARIAN EN EL INTERVALO X +-0,2; X ES LA DIMENSION MEDIA DE LAS PARTICULAS DE LA COMPOSICION CONSIDERADA, ENTENDIENDO QUE EL INTERVALO DE VARIACION +-0,2 X NO PUEDE SER INFERIOR A +-0,1 MICRAS; SU PREPARACION Y APLICACION ES PRINCIPALMENTE EN LA PREPARACION DE CERAMICAS, DE ABRASIVOS, DE CATALIZADORES O DE SOPORTES DE CATALIZADORES.
