CIP 2015 : H01L 31/00 : Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

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H01L 31/02 · Detalles.
H01L 31/0203 · · Contenedores; Encapsulados (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/048; para dispositivos fotosensibles orgánicos H01L 51/44).
H01L 31/0216 · · Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).
H01L 31/0224 · · Electrodos.
H01L 31/0232 · · Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo (H01L 31/0236  tiene prioridad; para las células fotovoltaicas H01L 31/054; para módulos fotovoltaicos H02S 40/20).
H01L 31/0236 · · Texturas de superficie particulares.
H01L 31/024 · · Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura (para dispositivos fotovoltaicos H01L 31/052).
H01L 31/0248 · caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
H01L 31/0256 · · caracterizados por los materiales.
H01L 31/0264 · · · Materiales inorgánicos.
H01L 31/0272 · · · · Selenio o teluro.
H01L 31/028 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
H01L 31/0288 · · · · · caracterizados por el material de dopado.
H01L 31/0296 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.
H01L 31/0304 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V .
H01L 31/0312 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A IV B IV p. ej. SiC.
H01L 31/032 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
H01L 31/0328 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.
H01L 31/0336 · · · · · en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
H01L 31/0352 · · caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
H01L 31/036 · · caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
H01L 31/0368 · · · comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0376 · · · comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0384 · · · comprendiendo otros materiales no cristalinos, p. ej. partículas semiconductoras incorporadas en un material aislante (H01L 31/0392 tiene prioridad).
H01L 31/0392 · · · comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
H01L 31/04 · adaptados como los dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (las pruebas de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; las pruebas de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
H01L 31/041 · · Disposiciones para la prevención de daños causados por la radiación corpuscular, p. ej. para aplicaciones espaciales.
H01L 31/042 · · Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicos (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
H01L 31/043 · · · Células fotovoltaicas mecánicamente apiladas.
H01L 31/044 · · · incluyendo diodos de bypass (diodos de derivación en la caja de conexiones H02S 40/34).
H01L 31/0443 · · · · comprenden diodos de bypass integrados o directamente asociadas con los dispositivos, p. ej. diodos de bypass integrados o en la forman o sobre el mismo sustrato que las células fotovoltaicas.
H01L 31/0445 · · · incluyendo células solares de película delgada, p. ej. una sola película delgada de a-Si, CIS o CdTe de células solares.
H01L 31/046 · · · · Módulos fotovoltaicos compuestas de una pluralidad de células solares de película delgada depositados en el mismo sustrato.
H01L 31/0463 · · · · · caracterizado por métodos especiales de modelado para conectar las células FV en un módulo, p. ej. corte por láser de las capas conductoras o activas.
H01L 31/0465 · · · · · que comprende estructuras particulares para la interconexión eléctrica de las células fotovoltaicas adyacentes en el módulo.
H01L 31/0468 · · · · · que comprende medios específicos para la obtención de la transmisión de luz parcial a través del módulo, p. ej. módulos solares parcialmente transparentes de película fina para ventanas.
H01L 31/047 · · · Grupo de celdas fotovoltaicas, incluyendo las células fotovoltaicas que tienen múltiples uniones verticales o múltiples uniones de ranura en V formadas en un sustrato semiconductor.
H01L 31/0475 · · · Grupos de celdas fotovoltaicas producidas las celda en un plano, p. ej. repetición, configuración en un único sustrato semiconductor; PV cell microarrays.
H01L 31/048 · · · encapsulados de modulos.
H01L 31/049 · · · · Láminas trasera de protección.
H01L 31/05 · · · Medios de interconexión eléctrica entre las células fotovoltaicas dentro del módulo fotovoltaicos, p. ej. conexión en serie de células fotovoltaicas (electrodes H01L 31/0224; interconexión eléctrica de las células solares de película delgada formada sobre un sustrato común H01L 31/046; estructuras particulares para la interconexión eléctrica de las células solares de película delgada adyacentes en el módulo H01L 31/0465; medios de interconexión eléctrica especialmente adaptada para conectar eléctricamente dos o más módulos fotovoltaicos H02S 40/36).
H01L 31/052 · · Medios de refrigeración directamente asociado o integrado con la célula fotovoltaica, p. ej. elementos Peltier integrado para la refrigeración activa o disipadores de calor directamente asociados con las células fotovoltaicas (medios de refrigeración en combinación con el módulo fotovoltaico H02S 40/42).
H01L 31/0525 · · · incluidos los medios para utilizar la energía térmica asociada directamente con la célula fotovoltaica, p. ej. elementos Seebeck integrados.
H01L 31/053 · · Almacenamiento de energía asociando directamente medios o integrado con la célula fotovoltaica, p. ej. un condensador integrado con una célula fotovoltaica (medios almacenamiento de energía asociada con el módulo fotovoltaico H02S 40/38).
H01L 31/054 · · Elementos ópticos directamente asociados o integrados en la célula fotovoltaica, p. ej. medios que reflejan la luz o medios concentradores de luz.
H01L 31/055 · · · donde la luz es absorbida y re-emitida en una longitud de onda diferente por el elemento óptico directamente asociado o integrado con la célula fotovoltaica, p. ej. mediante el uso de material luminiscente, concentradores fluorescente o disposiciones de conversión ascendente.
H01L 31/056 · · · medios de reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].
H01L 31/06 · · caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
H01L 31/061 · · · siendo las barreras de potencial del tipo de contacto de punta (H01L 31/07  tiene prioridad).
H01L 31/062 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
H01L 31/065 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo de banda prohibida gradual.
H01L 31/068 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.
H01L 31/0687 · · · · Células solares a unión múltiple o tándem.
H01L 31/0693 · · · · incluyendo los dispositivos, aparte de materiales dopantes u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V , p.ej. células solares de GaAs o InP.
H01L 31/07 · · · siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky.
H01L 31/072 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión.
H01L 31/0725 · · · · Células solares a unión múltiple o tandem.
H01L 31/073 · · · · comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A II B VI , p.ej. células solares CdS/CdTe.
H01L 31/0735 · · · · comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A III B V , p.ej. células solares GaAs/AlGaAs o InP/GaInAs.
H01L 31/074 · · · · comprendiendo una heterounión con un elemento del grupo IV del Sistema Periódico, p.ej. células solares ITO/Si, GaAs/Si o CdTe/Si.
H01L 31/0745 · · · · comprendiendo una heterounión A IV B IV , p.ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC.
H01L 31/0747 · · · · · comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.
H01L 31/0749 · · · · incluyendo un compuesto A I B III C VI , p.ej. células solares a heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].
H01L 31/075 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p.ej. células solares de sílice amorfo PIN.
H01L 31/076 · · · · Células solares a unión múltiple o tándem.
H01L 31/077 · · · · Comprendiendo los dispositivos materiales monocristalinos o policristalinos.
H01L 31/078 · · · comprendiendo barreras de potencial de diferentes tipos cubiertas por dos o más de los grupos H01L 31/061 - H01L 31/075.
H01L 31/08 · en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
H01L 31/09 · · Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta (H01L 31/101 tiene prioridad).
H01L 31/10 · · caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
H01L 31/101 · · · Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
H01L 31/102 · · · · caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/103 · · · · · siendo la barrera de potencial de tipo PN a homounión.
H01L 31/105 · · · · · siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
H01L 31/107 · · · · · funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
H01L 31/108 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
H01L 31/109 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión.
H01L 31/11 · · · · caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar.
H01L 31/111 · · · · caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor.
H01L 31/112 · · · · caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.
H01L 31/113 · · · · · del tipo conductor-aislante-semiconductor, p. ej. transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor.
H01L 31/115 · · · Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
H01L 31/117 · · · · del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
H01L 31/118 · · · · del tipo detectores de barrera de superficie o de unión PN superficial, p. ej. detectores de partículas alfa de barrera de superficie.
H01L 31/119 · · · · caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. detectores de tipo MIS.
H01L 31/12 · estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común con una o varias fuentes de luz eléctrica, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y además eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (amplificadores que utilizan un elemento electroluminiscente o una célula fotoeléctrica H03F 17/00; fuentes de luz electroluminiscente " en sí H05B 33/00).
H01L 31/14 · · las fuentes de luz están controladas por el dispositivo semiconductor sensible a la radiación, p. ej. convertidores de imágenes, amplificadores de imágenes, dispositivos de almacenamiento de imagen.
H01L 31/147 · · · siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/153 · · · · formados en o sobre un sustrato común.
H01L 31/16 · · el dispositivo semiconductor sensible a la radiación está controlado por la o las fuentes de luz.
H01L 31/167 · · · siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
H01L 31/173 · · · · formados en o sobre un sustrato común.
H01L 31/18 · Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L 31/20 · · comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

  1. 1.-

    SISTEMA DE ILUMINACIÓN SOLAR SUMERGIBLE

    . Ver ilustración. Solicitante/s: ROSADO RIOS,JUAN. Inventor/es:

    Consiste en un foco de iluminación solar sumergible, que integra paneles fotovoltaicos, baterías, sistema de iluminación y con control en un mismo bloque plano y hermético de reducido espesor que permite la iluminación de la piscina durante la noche, con un diseño delgado para ser adherido o fijado en la pared, escalera o suelo de la piscina, permitiendo una cómoda instalación sin cableados y no interfiriendo en el uso de la misma.

  2. 2.-

    Un fotodetector PIN que comprende: una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ; una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ; una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora...

  3. 3.-

    Uso como aglutinante y/o como encapsulante o en los módulos solares de al menos una composicióntermoplástica que comprende un polímero injertado con poliamida, comprendiendo este polímero injertado conpoliamida una estructura de poliolefina que contiene un resto de al menos un monómero insaturado (X) y al menosun injerto de poliamida donde: * el injerto de poliamida está unido a la estructura de poliolefina mediante el resto del monómero insaturado (X) quecomprende una función capaz de reaccionar mediante una reacción de condensación con una poliamida...

  4. 4.-

    Un generador de fuente de luz artificial para simular la energía solar, que comprende: al menos un conjunto luminiscente , comprendiendo cada uno: una fuente de luz , para generar haces de luz; un espejo parabólico , que tiene un foco, donde la fuente de luz está dispuesta en el foco, demodo que los haces de luz generados por la fuente de luz son reflejados o emitidos en una direcciónparalela por el espejo parabólico; un asiento de soporte , para soportar la fuente de luz; una primera matriz de lentes , que tiene una pluralidad de primeras unidades de...

  5. 5.-

    Detector de radiación ionizante sensible a la posición 2D. El objeto de la presente invención es un dispositivo detector que permite detectarla, tanto la presencia de radiación ionizante como su posición en un plano bidimensional. El detector comprende un cristal de semiconductor con un electrodo en una de sus caras, y donde la cara opuesta comprende otro electrodo formado por una pluralidad de micropistas (P1-P6), caracterizado porque cada micropista (P1-P 6) comprende una capa de material resistivo y está conectada por ambos extremos a circuitos de lectura (L1a, L1b-L6a, L6b).

  6. 6.-

    1. Una disposición de célula solar fotovoltaica para la producción de energía a partir del sol que comprende: un sustrato de germanio que incluye una primera unión fotoactiva y la formación de una subcélula solar inferior ; una subcélula media de arseniuro de galio dispuesta sobre dicho sustrato ; una subcélula superior de fosfuro de galio indio dispuesta sobre dicha subcélula media y una rejilla superficial dispuesta sobre dicha subcélula superior que incluye una pluralidad de líneas de rejilla separadas entre sí , caracterizada...

  7. 7.-

    Procedimiento de producción y de almacenamiento de energía eléctrica que utiliza unos complejos de un metal, caracterizado porque se utiliza un complejo molecular de hierro que se deriva del ácido benzoico, comprendiendo este complejo por lo menos un ligando orgánico (L) de tipo benzoico hidrazida, y se crean unas reacciones de oxidorreducción en dicho complejo molecular de hierro exponiéndolo a la luz, protegido del aire, y recíprocamente al aire, protegido de la luz.

  8. 8.-

    Pie de soporte para soportar una estructura independiente sobre un tejado plano, incluyendo el pie de soporte medios de sujeción para sostener una sección perfilada en la que pueden montarse otras partes dedicha estructura, en el que el pie de soporte comprende: - una parte de base con una estructura de guiado , - una parte de patín , que incluye los medios de sujeción para la sección perfilada y que estámontado de manera deslizante sobre la estructura de guiado de la parte de base ...

  9. 10.-

    Material de banda intermedia basado en un compuesto semiconductor de tipo calcogenuro de estaño. La invención se refiere a compuestos formados mediante la introducción, dentro de un semiconductor de partida que es de tipo calcogenuro de estaño tetravalente octaédricamente coordinado, de un elemento de transición en posición octaédrica, para la fabricación de materiales o dispositivos para aplicaciones fotónicas. El elemento de transición genera una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Esto posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior a la anchura de la banda prohibida del semiconductor de partida,...

  10. 11.-

    MASAS PASTOSAS CON MATERIALES NANOCRISTALINOS PARA COMPONENTES ELECTROQUIMICOS Y CAPAS Y COMPONENTES ELECTROQUIMICOS FABRICADOS A PARTIR DE ELLOS.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FIRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es:

    Masas pastosas para la producción de capas de electrolitos sólidos, que se pueden utilizar en componentes electrónicos, que están constituidas por (A) de 0 a 70 % en peso de una matriz que contiene al menos un polímero orgánico, sus fases previas o sus prepolímeros o que está constituida por ellos y (B) de 30 a 100 % de un material inorgánico con preferencia no soluble en la matriz, adecuado como electrolito de cuerpos sólidos o como conductor intermedio iónico, en forma de una substancia sólida y adicionalmente, dado el caso, un agente de suspensión para (B), caracterizadas porque al menos el 30 % del material adecuado está presente como electrolito de cuerpo sólido o conductor intermedio iónico en forma de un polvo nanocristalino.

  11. 12.-

    UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.

    . Solicitante/s: NORDIC SOLAR ENERGY AB. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA, EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO . LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2}.

  12. 13.-

    DISPOSITIVOS ELECTROLUMINESCENTES.

    . Solicitante/s: CAMBRIDGE CONSULTANTS LIMITED. Inventor/es:

    Un medio de iluminación electroluminiscente que comprende: - una sustancia electroluminiscente que tiene al menos una superficie desde la cual se desea la emisión de luz ; y - un conjunto de electrodos situados substancialmente paralelos a la(s)citada(s) superficie(s) de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz para causar, durante el uso, un campo de radiación apropiado en la sustancia electroluminiscente , caracterizado porque al menos una de las citadas superficies de la sustancia electroluminiscente desde la cual se desea la emisión de luz está al menos parcialmente no cubierta por ninguno del conjunto de electrodos , por lo cual la emisión de luz deseada no necesita pasar a través del material de un electrodo con el fin de que el medio de iluminación electroluminiscente funcione como se desea.

  13. 14.-

    SUBSTRATO PARA RECUBRIMIENTO.

    . Solicitante/s: ALUSUISSE TECHNOLOGY & MANAGEMENT AG. Inventor/es:

    SUSTRATO DE RECUBRIMIENTO, QUE CONTIENE UN PRODUCTO ENROLLADO FORMADO DE ALUMINIO O DE ALEACIONES DE ALUMINIO, PARA RECUBRIMIENTOS POR LAMINA FINA PARA OBTENER COMPONENTES ELECTRONICOS. EL SUSTRATO DE RECUBRIMIENTO EVITA LA INTERDIFUSION DE ELEMENTOS DEL SUSTRATO Y ELEMENTOS DE RECUBRIMENTO DE LA LAMINA FINA Y POSIBILITA EL CONTROL TOTAL DE IRREGULARIDADES MEDIANTE LOS RECUBRIMIENTOS EN LAMINA FINA. LAS IRREGULARIDADES PRESENTES DE MANERA LOCAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR, QUE TIENEN UNA EXTENSION MAXIMA MEDIDA VERTICALMENTE CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, MENOR DE 10 MI M Y MAS DE 0,1 MI M, ESTAN DE TAL MANERA QUE LOS LADOS DE LAS IRREGULARIDADES TOTALES SE PUEDEN EXPONER COMPLETAMENTE A LA DEPOSICION DE MATERIAL QUE SE COLOCA SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO DE UNA MANERA PERPENDICULAR.

  14. 15.-

    LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA LA CONCENTRACION O PARA LA DISTRIBUCION DE LUZ (2, 2'), CON LA UTILIZACION DE UNA PRIMERA DISPOSICION DE PRISMAS PLANOS , A PARTIR ESENCIALMENTE DE PERFILES PRISMATICOS. DISPOSICIONES DE PRISMAS PLANOS PARECIDOS SON CONOCIDOS COMO LAS LLAMADAS LENTES DE FRESNEL DESDE HACE YA MUCHO TIEMPO. ESTAS LENTES DE FRESNEL PRESENTAN EL INCONVENIENTE DE QUE LA LUZ QUE INCIDE SOBRE LAS MISMAS EN SENTIDO VERTICAL, TAN SOLO ES DESVIABLE EN UN MARGEN DE ANGULO LIMITADO DE LA DIRECCION DE LA INCIDENCIA, Y EL FOCO PRESENTA CONSECUENTEMENTE UNA DISTANCIA MINIMA DE LA LENTE. EL COMETIDO DE CONTINUAR DESARROLLANDO UN DISPOSITIVO SEGUN EL TIPO DE LA LENTE DE FRESNEL DE TAL...

  15. 16.-

    DISPOSITIVO DE RECONSTRUCCION DE POSICIONES DE PARTICULAS MINIMAMENTE IONIZANTES.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO DE INVESTIGACIONES ENERGETICAS, MEDIOAMBIENTALES Y TECNOLOGICAS (C.I.E.M.A.T). Inventor/es:

    ESTE DISPOSITIVO DE RECONSTRUCCION DE POSICIONES DE PARTICULAS MINIMAMENTE IONIZANTES, SE CARACTERIZA POR LA COLOCACION DE LOS DOS CCDS CARA A CARA Y LO MAS CERCA POSIBLE, DE MANERA QUE EL CCD1 SE LEE DE ARRIBA A ABAJO Y EL CCD2 AL CONTRARIO; COMO COMPLEMENTO DE LOS CCDS, UN DISPOSITIVO DE DISPARO INDICA EL PASO DE UNA PARTICULA, RECORDANDO SU TIEMPO CON RESPECTO A UN OSCILADOR (RELOJ) DE DISPARO. ESTE ESTA EN FASE CON EL RELOJ DE LAS LINEAS IP, QUE JUNTO CON EL IL (QUE EXTRAE LAS CARGAS CELDA A CELDA), CORREN LIBREMENTE EN AMBOS CCDS, CONSIGUIENDO ASI UNA LECTURA CONTINUA. HAY UN PERIODO DE INTEGRACION O ACUMULACION DE CARGA PARA CADA LINEA DE CELDAS IGUAL AL TIEMPO ENTRE DOS GOLPES DE IP. LA INVENCION PERMITE LA UTILIZACION DE LOS CCDS COMO DETECTORES MUY PRECISOS DE POSICION EN HACES DE PARTICULAS PULSADOS DE ELEVADA INTENSIDAD, ELIMINANDO EL TIEMPO MUERTO Y LAS TRAZAS FANTASMAS QUE SE PRODUCIAN CON UNA LECTURA EN SERIE.

  16. 17.-

    DETECTORES FOTONICOS DE UNION P-N+ Y N-P+ FUNDADOS EN UN NUEVO CONCPTO DE UNION P-N OBTENIDOS PARA DETECTAR RADIACION INFRARROJA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es:

    CONSISTE EN DIODOS DE DIFUSION CON ESTRUCTURA MULTICAPA: SUSTRATO SEMICONDUCTOR CAPA DIFUSION CORTA CONTACTO ELECTRICO INFERIOR CONTACTO ELECTRICO SUPERIOR POR DONDE SE IRRADIA. EL MATERIAL SEMICONDUCTOR BASE ES FORMULA DE SILICIO AUNQUETAMBIEN PUEDE SER DE GERMANIO, ARSENIURO DE GALIO O ANTIMONIURO DE INDIO. LAS UNIONES PUEDEN SER TIPO P+/N O N+/P. LA INTEGRACION CONSISTE EN UN CONJUNTO DE DIODOS DE SILICIO DISPUESTOS EN FORMA DE MATRIZ Y CONECTADOS EN SERIE.

  17. 18.-

    Perfeccionamientos en células de energía fotovoltaica, caracterizados porque cada célula comprende una lámina de silicio que tiene una superficie opuesta a dicha superficie de incidencia, estando formada la superficie de incidencia a partir de granos individuales de silicio que tienen porciones de los mismos en dicha superficie, teniendo los granos diámetros medios de al menos 100 micras aproximadamente y contorno de grano que, en la superficie de incidencia, están en contacto con los contornos de granos adyacentes o bien están separados sólo ligeramente de dichos contornos de los granos adyacentes, y una unión fotovoltaica formada en dicha superficie incidente y que se extiende a través y por debajo de dicha superficie y también al interior...

  18. 25.-

    UN DISPOSITIVO DE IMPEDANCIA ELÉCTRICA VARIABLE

    . Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

    Dispositivo de impedancia eléctrica variable, más en particular una resistencia variable, caracterizado por comprender una combinación estructural de un cuero sensible a la redacción sobre el cual están dispuestos por lo menos dos electrodos determinadores de la impedancia y una fuente de radiación variable para regular la impedancia.