CIP-2021 : H01S 5/024 : Disposiciones para el control térmico.

CIP-2021HH01H01SH01S 5/00H01S 5/024[2] › Disposiciones para el control térmico.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).

H01S 5/024 · · Disposiciones para el control térmico.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y método de detección de heterodinos.

(29/07/2020) Un sistema de detección activa de heterodinos que comprende: una fuente de láser continuamente sintonizable configurada para emitir radiación infrarroja; un detector adaptado para la detección de heterodinos en un intervalo espectral continuo; medios configurados para dividir la radiación infrarroja en una primera parte y una segunda parte; medios configurados para proporcionar un desplazamiento de frecuencia entre la primera parte y la segunda parte; en donde el medio de desplazamiento de frecuencia es un modulador acústico-óptico, y en donde el desplazamiento de frecuencia se aplica a la primera parte de la radiación infrarroja; medios configurados para dirigir un modo de primer orden del modulador acústico-óptico al objetivo; en donde la segunda parte de la radiación infrarroja se proporciona…

Láser de disco semiconductor con auto bloqueo de modos.

(29/04/2020) Un láser con auto bloqueo de modos, el láser comprendiendo un resonador (2, 2b, 2c) que termina en un primer y un segundo espejo y plegado por un tercer espejo , el tercer espejo coronado por un medio de ganancia semiconductor de múltiples capas que incluye al menos una capa de pozo cuántico, y una capa de lente Kerr óptica. caracterizado por que la longitud del resonador (2, 2b, 2c) se selecciona de tal manera que un tiempo de desplazamiento de ida y vuelta de un modo de la cavidad se corresponde con un tiempo de vida del nivel superior de uno o más portadores de semiconductores situados dentro del medio de ganancia para introducir una perturbación en una intensidad de un campo de salida del láser causando que la capa de lente Kerr óptica induzca…

Módulo láser de diodo escalonado con estructura de refrigeración.

(28/08/2019) Un cuerpo de módulo láser que ha de refrigerarse con fluido refrigerante, que tiene un primer y un segundo electrodos , que comprende: una base cerámica unitaria que tiene un fondo; una pluralidad de plataformas cerámicas conformadas en la base cerámica unitaria , teniendo cada una de la pluralidad de plataformas una anchura, una longitud y una altura en relación con un plano de base paralelo a las plataformas, y que forman una estructura escalonada, teniendo cada plataforma una altura diferente en relación con el plano de base; teniendo cada plataforma una superficie superior habilitada para sostener una fuente de láser…

Procedimiento y aparato para montar un láser de disco semiconductor (SDL).

(12/02/2019) Conjunto de aparato de refrigeración para montar un láser de disco semiconductor (SDL) , comprendiendo el conjunto de aparato de refrigeración : un difusor térmico cristalino que presenta un primer y un segundo lados opuestos, estando el primer lado del difusor térmico cristalino en contacto óptico con el SDL ; un disipador térmico que comprende un rebaje situado en una primera superficie del mismo; un material de relleno mecánicamente adaptable situado dentro del rebaje ; caracterizado por que una placa de sellado está fijada al disipador térmico para estar en contacto con la segunda superficie del difusor térmico cristalino y sumergir el SDL dentro del…

Sistema láser de semiconductor del tipo de refrigeración bilateral para uso médico de belleza.

(18/04/2018) Un sistema de láser de semiconductor del tipo de refrigeración bilateral para uso médico de belleza, que incluye: una matriz de láseres de semiconductor que comprende una multitud de láseres de semiconductor apilados, una guía de ondas óptica dispuesta delante de una superficie emisora de luz de la matriz de láseres de semiconductor, una ventana de contacto transparente que hace tope contra un extremo de la salida de luz de la guía de ondas óptica , un par de bloques de refrigeración para la refrigeración por conducción de la ventana de contacto , un primer bloque de flujo continuo de agua y un segundo…

Dispositivo láser de semiconductor.

(15/03/2017) Un dispositivo láser de semiconductor que comprende: una base ; un elemento láser de semiconductor proporcionado encima de la base; una tapa proporcionada sobre la base y que aloja el elemento láser de semiconductor, teniendo la tapa un rebaje (13D) formado en una porción superior de la tapa, estando definido el rebaje por una superficie lateral y una parte inferior, y teniendo la tapa un agujero pasante (13C) formado en la parte inferior del rebaje; un miembro de soporte dispuesto en el rebaje y que tiene un agujero pasante (14C) dispuesto encima del agujero pasante de la tapa, siendo un diámetro del agujero pasante del miembro de soporte menor que un diámetro del agujero…

Dispositivo de transferencia térmica para el enfriamiento bilateral de un componente semiconductor.

(22/01/2014) Dispositivo de transferencia térmica con - al menos un componente semiconductor , en particular un diodo láser o diodo luminoso, - un primer cuerpo conductor de calor y - al menos un segundo cuerpo conductor de calor , presentando el componente semiconductor - en un primer lado al menos una primera superficie de contacto esencialmente plana al menos por secciones y, - en al menos un segundo lado, opuesto al primer lado, al menos una segunda superficie de contacto esencialmente plana al menos por secciones, y - estando dispuesto este al menos por secciones entre el primer y el segundo cuerpo conductor de calor (20 y 30), presentando el primer cuerpo conductor de calor una primera zona metálica que - constituye respecto a su masa y/o su volumen la parte principal del primer cuerpo conductor de calor , - está…

Dispositivo de transmisión de calor con al menos un elemento constructivo semiconductor, particularmente un elemento diodo láser o de luz, y procedimiento para su montaje.

(19/03/2013) Dispositivo para la transmisión de calor con: - al menos un elemento constructivo semiconductor , particularmente un elemento de diodo láser o de luz, - un primer cuerpo conductor de calor , - al menos un segundo cuerpo conductor de calor en donde el elemento constructivo semiconductor presenta - en un lado, al menos una primera superficie de contacto sustancialmente plana al menos por tramos, y - en al menos un segundo lado, opuesto al primer lado, al menos una segunda superficie de contacto sustancialmente plana al menos por tramos, y - está dispuesto al menos por tramos entre el primer y el segundo cuerpo conductor de calor (20 y 30),el primer…

MONTAJE DE APARATO OPTICO EN UN DISIPADOR DE CALOR.

(16/02/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: HAMILTON, CRAIG JAMES, MARSH, JOHN HAIG.

Un aparato ópticamente activo que comprende: un cuerpo que tiene una zona activa y una primera zona ópticamente pasiva que se extiende desde un extremo de la zona activa, disponiendo la primera zona ópticamente pasiva de un extremo interior adyacente a la zona activa y de un extremo exterior que define una primera faceta del aparato; y un disipador que se encuentra térmicamente asociado al cuerpo y que co-existe con, por lo menos, parte de la zona activa y con solamente una parte de la primera zona ópticamente pasiva de tal manera que la primera faceta del aparato está suspendida en el disipador.

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