CIP-2021 : H01S 5/02 : Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
H01S 5/02 · Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Láser de diodos de alta potencia y procedimiento para la fabricación de un láser de diodos de alta potencia.
(03/04/2019). Solicitante/s: Dilas Diodenlaser GmbH. Inventor/es: KELEMEN,MARC, MORITZ,RUDOLF, GILLY,JÜRGEN, FRIEDMANN,PATRICK.
Láser de diodos de alta potencia con facetas opuestas entre sí, que están construidas respectivamente de un sistema de capas que comprende varias capas amorfas compuestas de silicio y carbono, que contiene tanto una capa de pasivación como también varias capas funcionales que determinan la reflexión, donde los índices de refracción de la capa de pasivación y de las capas funcionales están ajustados a través de un contenido de carbono variable.
PDF original: ES-2733806_T3.pdf
EMISOR-RECEPTOR OPTICO DE SEMICONDUCTOR.
(16/12/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: JACQUET, JOEL, GURIB, SALIM, DOUKHAN, FRANCIS, LE QUELLEC, HUGUES.
ESTE DISPOSITIVO PUEDE COMPRENDER, EN UN MISMO SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE IN P : NDAS (WE) DE UNA PRIMERA LONGITUD DE ONDA DE, POR EJEMPLO, 1.300 NM, DE UNA SEGUNDA LONGITUD DE ONDA DE, POR EJEMPLO, 1.550 NM, Y UN SEPARADOR (G) QUE ABSORBE LAS ONDAS DE LA PRIMERA LONGITUD DE ONDA, ESTANDO INTERPUESTO DICHO SEPARADOR ENTRE EL EMISOR LASER (H1) Y EL FOTODIODO (H2) PARA PROTEGER ESTE FOTODIODO FRENTE A LAS ONDAS DE LA PRIMERA LONGITUD DE ONDA. DE ACUERDO CON LA INVENCION, MEDIOS DE MEDIDA DE ABSORCION (Q) SUMINISTRAN UNA SEÑAL (IG) REPRESENTATIVA DE LA POTENCIA DE LAS ONDAS ABSORBIDAS POR EL SEPARADOR. ESTA SEÑAL PERMITE REGULAR EL FUNCIONAMIENTO DEL EMISOR LASER (H1). LA INVENCION ES APLICABLE EN PARTICULAR A LA REALIZACION DE DISPOSITIVOS DE EXTREMO DESTINADOS A SU INSTALACION EN EMPLAZAMIENTOS DE ABONADOS DE REDES LOCALES INTERACTIVOS DE FIBRA OPTICA.
