(01/07/2020) Una composición electrolítica acuosa útil en el relleno de elementos submicrónicos de un dispositivo de circuito integrado semiconductor, o de vías a través del silicio, comprendiendo la composición: un ácido; iones de cobre; y un nivelador que comprende un compuesto de oligómero y/o de polímero seleccionado del grupo que consiste en sales que comprenden un catión que tiene la estructura: **(Ver fórmula)** en donde: G se selecciona del grupo que consiste en -O-, O-((A)r-O)s- y -((A)r-O)s- A tiene la estructura **(Ver fórmula)** B tiene la estructura, **(Ver fórmula)** D tiene la estructura, **(Ver fórmula)** cada uno de p, q, r, t, u, w, e y, es un número entero entre 1 y 6 inclusive, cada uno de v, x, k, y z, es independientemente un número entero…

(18/09/2019) Baño de galvanoplastia de cobre ácido acuoso que comprende: - iones cobre; - al menos un ácido; - iones haluro; - al menos un compuesto que contiene azufre seleccionado del grupo que consiste en 3-mercaptopropilsulfonato de sodio, disulfuro de bis(sodiosulfopropilo), ácido 3-(N,N-dimetiltiocarbamoil)-tiopropanosulfónico o la sal de sodio respectiva de los mismos y mezclas de los mencionados anteriormente; - al menos un producto de reacción de amina de dietilamina con epiclorhidrina o un producto de reacción de amina de isobutilamina con epiclorhidrina o mezclas de estos productos de reacción en donde el al menos un producto de reacción de amina de…

(15/05/2019) Una composición de electrodeposición para la deposición electrolítica de cobre, que comprende iones de cobre, iones haluro y al menos un ácido, caracterizada por que la composición de electrodeposición comprende, además (a) al menos un compuesto de benzotiazol representado por la siguiente fórmula (BT) **(Ver fórmula)** en donde RBT1 se selecciona del grupo que consiste en grupo alquilo sustituido y no sustituido, grupo arilo sustituido y no sustituido y grupo alcarilo sustituido y no sustituido; RBT2 y RBT3 son independientemente grupos alquilo sustituidos y no sustituidos; cada uno de RBT4, RBT5, RBT6 y RBT7 se selecciona independientemente del grupo que consiste en hidrógeno, grupo alquilo sustituido y no sustituido, grupo oxialquilo sustituido y no sustituido y **(Ver…

(01/05/2019) método para monitorizar la cantidad total de abrillantadores presentes en un baño de recubrimiento ácido de cobre o de una aleación de cobre, durante un proceso de recubrimiento de cobre/aleación de cobre, en donde el método comprende las siguientes etapas: (a) proporcionar una muestra del baño de recubrimiento de dicho baño de recubrimiento, en donde el baño de recubrimiento comprende lo siguiente: (a-1) un abrillantador o más, seleccionado del grupo que consiste en**Fórmula** y**Fórmula** en donde: n y m son independientemente 1, 2, 3, 4 o 5 y p es independientemente 0, 1 o 2, (a-2) iones de cobre (a-3) iones de cloruro, (b) añadir a la muestra…

(25/09/2018) Aparato de chapar cilindros, que comprende: un baño de chapar configurado para almacenar una solución de chapar; medios de sujeción para sostener un cilindro a tratar por ambos extremos en una dirección longitudinal del mismo de manera que sea hecho girar y sea activado, y que colocan el cilindro a tratar dentro del baño de chapar; y un par de electrodos insolubles opuestos, que están instalados verticalmente de manera que se enfrentan a ambas superficies laterales del cilindro a tratar dentro del baño, y que están configurados para ser alimentados con una corriente predeterminada, siendo el par de electrodos insolubles opuestos llevados a la proximidad de ambas superficies laterales del cilindro a tratar con intervalos predeterminados para chapar una superficie…

(12/09/2018) Método para producir un componente de válvulas, accesorios o conjuntos de grifo que comprende las etapas de: * proporcionar un sustrato metálico; * depositar una primera capa de cobre sobre al menos una porción del sustrato metálico; y * depositar una segunda capa de cromo sobre al menos una porción de la primera capa de cobre y en contacto directo con la misma, para obtener dicho componente; estando caracterizado el método por el hecho de que: el sustrato metálico comprende al menos una pared que define al menos una cavidad del sustrato; teniendo la pared una superficie interna que define la cavidad y una superficie…

(30/05/2018) Dispositivo para la fundición de un semiproducto , especialmente de una pieza de fundición a presión de cinc, que presenta un útil de moldeo a través del cual se forma al menos un canal de vertido para la aportación de una masa fundida, una cavidad de molde para la recepción de una primera parte de la masa fundida y al menos una cámara adyacente para la recepción de una segunda parte de la masa fundida, caracterizado - por que la cámara adyacente rodea la cavidad de molde a modo de marco y por todo su perímetro, de manera que, en caso de una fundición del semiproducto en la cavidad de molde , se funda una pieza bruta y en…

(23/08/2017) Proceso para metalizar un elemento de surco de contacto a través de silicio en un dispositivo de circuito integrado semiconductor, comprendiendo dicho dispositivo una superficie que tiene un elemento de surco de contacto en la misma, comprendiendo dicho elemento de surco de contacto una pared lateral que se extiende desde dicha superficie y un fondo, teniendo dicha pared lateral, dicho fondo y dicha superficie un sustrato de metalización sobre las mismas para la deposición de cobre, comprendiendo dicho sustrato de metalización una capa de semilla, comprendiendo el proceso: sumergir dicho sustrato de metalización en una composición de deposición electrolítica…

(06/05/2015) Una disolución ácida acuosa para depositar electrolíticamente recubrimientos de cobre, conteniendo dicha disolución ácida iones cobre, caracterizada porque dicha disolución contiene al menos un compuesto de polivinilamonio seleccionado del grupo que comprende compuestos que tienen la fórmula química general (I):**Fórmula** en la que I y m son índices de unidades de monómero que indican la fracción, que va a expresarse en [% en moles], de las unidades de monómero respectivas en el compuesto de polivinilamonio, en la que l + m en el compuesto es el 100 % en moles caracterizada porque m esté en un intervalo del 1 al 100 % en moles, referente a l + m, y l esté en un intervalo del 99 al 0 % en moles, referente a l + m, R1 es un radical, seleccionado…

(18/06/2014) Un proceso para el metalizado de cobre de un artículo de cinc o aleación de cinc que comprende las etapas de: a. sumergir dicho artículo de cinc o aleación de cinc en una disolución acuosa y alcalina de níquel para formar un revestimiento de níquel continuo y adherente sobre una superficie de dicho artículo de cinc o aleación de cinc, comprendiendo dicha disolución acuosa y alcalina de níquel una fuente de níquel, una fuente de pirofosfato, y una fuente de hidróxido; y posteriormente b. someter a electrometalizado dicho artículo de cinc o aleación de cinc en una disolución de pirofosfato de cobre para formar un revestimiento de cobre adherente sobre dicho artículo de cinc o aleación de cinc revestido con níquel,…

(04/06/2014) Disolución electrolítica de cobre que contiene, como aditivos: un compuesto de organoazufre representado por la fórmula general mencionada a continuación u X-R1-(S)n-R2-YO3Z1 R4-S-R3-SO3Z2 en la que R1, R2 y R3 son cada uno un grupo alquileno que tiene de 1 a 8 átomos de carbono, R4 se selecciona de un grupo que consiste en hidrógeno, **Fórmula** , X se selecciona de un grupo que consiste en hidrógeno, un grupo ácido sulfónico, un grupo ácido fosfónico y grupos de sal de metal alcalino de ácido sulfónico o ácido fosfónico o grupos de sal de amonio, Y es azufre o fósforo, Z1 y Z2 son cada uno hidrógeno, sodio o potasio, y n es 2 ó 3; y un compuesto de amina que incluye cualquiera de las fórmulas generales a mencionadas a continuación.

(30/04/2014) Método para la deposición de un revestimiento de cobre mate que comprende, en este orden, las etapas de a. Proporcionar un sustrato, b. Depositar una primera capa de cobre sobre el sustrato a partir de un primer electrolito acuoso que comprende una fuente de iones de cobre, al menos un ácido y al menos un compuesto de poliéter en donde dicho primer electrolito no contiene un compuesto orgánico que comprende azufre divalente y c. Depositar una segunda capa de cobre sobre la primera capa de cobre a partir de un segundo electrolito acuoso que comprende una fuente de iones de cobre, al menos un ácido, un primer aditivo soluble en agua que contiene azufre seleccionado entre el grupo que consiste en derivados de ácido alquil sulfónico y un segundo aditivo soluble en agua que contiene azufre seleccionado…

(08/01/2014) Disolución electrolítica de cobre que contiene como aditivos un compuesto de organo-azufre y un compuesto de amina cuaternaria con un esqueleto específico que se obtiene mediante una reacción de adición entre un compuesto que tiene uno o más grupos epoxi por molécula y un compuesto de amina, 5 seguido por una cuaternización del nitrógeno, en la que el compuesto de amina cuaternaria con un esqueleto específico es uno de los compuestos expresados por las siguientes fórmulas generales a ,**Fórmula** (n: un número entero de 1 a 5).

(29/08/2013) Un proceso para galvanizar electrolíticamente cobre sobre una superficie, comprendiendo dicho proceso: a) poner en contacto la superficie con una solución de pre-tratamiento que comprende una solución acuosa que comprende un compuesto orgánico que contiene azufre y de 0, 01 a 5, 0 g/l de iones cobre, donde el compuesto orgánico que contiene azufre comprende un grupo sulfonato o un grupo ácido sulfónico; y después b) poner en contacto dicha superficie como un cátodo con una solución de galvanizado electrolítico de cobre que comprende (i) iones cobre, (ii) un ácido alcanosulfónico; (iii) iones cloruro y, preferentemente, (iv) un compuesto de aldehído o cetona; y aplicar una corriente de galvanizado de manera que el cobre se galvanice sobre la superficie; donde el pH de la solución…

(21/06/2013) Un baño de chapado de cobre para depositar una capa de cobre sobre un cilindro de impresión, comprendiendo elbaño de chapado de cobre: a) una fuente de iones de cobre; b) una fuente de iones metanosulfonato; c) una fuente de iones cloruro; d) un compuesto organosulfurado que tiene la fórmula R-S-R'-SO3 -X+ o X+-O3S-R'-S-R-S-R'-SO3 -X+, donde R es alquilo, hidroxialquilo o éter de alquilo, R' es un grupo alquilo C2-C4 y X+ es un catión; y e) un compuesto poliéter.

(07/05/2013) Procedimiento para la deposición electrolítica de una capa de cobre mate o semibrillante desde un electrolitoácido sobre un sustrato, caracterizado porque para la deposición de la capa se ajustan densidades de corriente entre 10 y 100 A/dm2 y el electrolito presentacobre, ácido alquilsulfónico, iones de halogenuro, un etoxilato y un producto de condensación de naftaleno quecontiene azufre de fórmula general I siendo n un número entero y presentando el electrolito etoxilato de 2-naftol como etoxilato.

(17/06/2011) Electrolito para la deposición de una capa metálica mate de un metal del grupo constituido por Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, As, Se, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, W, Re, Pt, Au, Tl, Pb, Bi o una aleación de estos metales sobre un sustrato a partir de un electrolito que presenta un agente humectante, caracterizado porque el agente humectante es un agente humectante fluorado o perfluorado de fórmula general R f CH 2CH 2O(CH 2CH 2O) xH con R f F(CF 2CF 2) n, en la que x = 6 a 15 y n = 2 a 10 o es un compuesto de amonio cuaternario sustituido con poli(óxido de alquileno) de fórmula general en la que al menos un resto R 1 , R 2 , R 3 o R 4 es un sustituyente…

(01/12/2010) Solución electrolítica de cobre que contiene a modo de aditivos: (A) una sal de amina cuaternaria obtenida mediante la reacción entre epiclorohidrina y una mezcla de compuestos amina compuesta de un compuesto de amina secundaria y un compuesto de amina terciaria, y (B) un compuesto orgánico de azufre, expresado mediante la fórmula general ó siguiente: (en las fórmulas generales y , R1, R2 y R3 son, cada uno, un grupo alquileno que presenta entre 1 y 8 átomos de carbono, R4 se selecciona de entre el grupo que consiste de un hidrógeno, X se selecciona de entre el grupo que consiste de hidrógeno, un grupo ácido sulfónico, un grupo ácido fosfónico, y una sal de metal alcalino o una base amónica de ácido sulfónico o de ácido fosfónico, Y se selecciona de entre el grupo que…