(05/07/2017) Contacto dopado con p para uso en un diodo emisor de luz para la gama espectral ultravioleta, que comprende una capa de contacto p que contiene o consiste en p-AlGaN que tiene una primera superficie (A) para poner en contacto una zona de radiación y una segunda superficie (B) que comprende, en el lado opuesto a la primera superficie (A): a) un recubrimiento que contacta directamente entre el 75% y el 96% de la segunda superficie (B) de la capa de contacto p y que contiene o consiste en un material que tiene una reflectividad máxima de al menos el 60% en el intervalo UV con una longitud de onda de 200 nm a 400 nm; y b) una pluralidad de Inyectores p que están dispuestos directamente sobre la segunda superficie (B) de la capa de contacto p , en el que los Inyectores p comprenden, además de una capa de metal de inyector p que permite…

(22/07/2015) Diodo de emisión de luz a base de GaN, que comprende: un sustrato , una estructura de emisión de luz que comprende: una capa de revestimiento N , una región activa , y una capa de revestimiento P , una estructura de ventana sometida a crecimiento sobre dicha capa de revestimiento P , un electrodo N en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento N , y un electrodo P en contacto óhmico con dicha capa de revestimiento P , en el que: dicha estructura de ventana comprende una capa externa delgada transparente y conductora que tiene una superficie expuesta con cuatro lados;…

(10/09/2014) Ventana transparente adecuada para un montaje de diodo de emisión de luz (LED) semiconductor de AlGaInP, que comprende: una primera capa compuesta por un primer material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP; una segunda capa formada sobre dicha primera capa y que consiste en un segundo material semiconductor dopado p distinto de AlGaInP y diferente del material semiconductor dopado p de dicha primera capa; una tercera capa formada sobre dicha segunda capa y que consiste en un material conductor amorfo; y un contacto metálico que pasa a través de una abertura en dichas segunda y tercera capas hasta dicha primera capa para formar conexiones óhmicas con dichas segunda y tercera capas y una conexión de diodo Schottky con dicha primera capa .