CIP-2021 : H01L 35/16 : con teluro, selenio, o azufre.

CIP-2021HH01H01LH01L 35/00H01L 35/16[3] › con teluro, selenio, o azufre.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 35/16 · · · con teluro, selenio, o azufre.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de conversión termoeléctrica y módulo de conversión termoeléctrica.

(13/05/2020) Un dispositivo de conversión termoeléctrica que comprende: un primer material representado por la fórmula de composición ABx (en donde A es al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Bi, He, Ne, Ar, Kr y Xe, y B es al menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en Zn, Cu, Ag, Au, Al, Ga, In, Si, Ge y Sn), y que tiene una conductividad térmica reticular que es inferior a su conductividad térmica electrónica; y un segundo material que tiene un coeficiente de Seebeck más alto que el primer material, y una conductividad térmica de electrones que es menor que su conductividad térmica reticular, en donde la conductividad térmica reticular del primer material es menor que la conductividad térmica…

Dispositivo convertidor termoiónico.

(04/03/2020) Dispositivo convertidor para convertir energía de radiación electromagnética, en particular energía solar concentrada, en energía eléctrica, que comprende un emisor termoiónico separado por un espacio entre electrodos de un colector termoiónico, estando dotados el emisor termoiónico y el colector termoiónico de medios de conexión eléctrica configurados para poderse conectar a una primera carga eléctrica externa para suministrar energía eléctrica, estando caracterizado el dispositivo convertidor porque comprende además un absorbente de radiación electromagnética, configurado para transformar la energía…

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE UNA PINTURA TERMOELÉCTRICA, PINTURA DE ALTO RENDIMIENTO OBTENIDA CON DICHO PROCEDIMIENTO Y USO DE LA MISMA.

(29/01/2019). Solicitante/s: NORIEGA MARQUINA, Alexandra. Inventor/es: NORIEGA MOSQUERA,German Francisco, PLATZEK,Dieter, PASTOR TEJERA,Elena María, NORIEGA MARQUINA,Alexandra, MARQUINA GARROTE,Maria Almudena, BARONI LUENGO,Ana, LIHOTINA,Dana, NORIEGA MOSQUERA,Luis Fernando.

Procedimiento para la obtención de una pintura termoeléctrica, pintura de alto rendimiento obtenida con dicho procedimiento y uso de la misma, comprendiendo: mezcla y aplicación sobre la superficie del dispositivo de pinturas con base alta de etanol con materiales de BiTe con nanopartículas TE tipo n y p, adición de aditivo de calcogenuro metálico molecular basado en Sb2Te3 (telururo de antimonio), y colocación de cableado y contactos positivo y negativo del dispositivo, tratamiento térmico de altas temperaturas en microondas para su sinterizado, durante 500-1500 segundos a entre 300-400ºC. La pintura obtenida es inorgánica compuesta de una mezcla de base Bi2Te3 (telururo de bismuto) con partículas termoeléctricas (TE) tipo n (BiTeSe) y tipo p (BiSbTe), disolventes orgánicos con constantes dieléctricas entre 10 y 50 Fm-1 y un grosor de 10μm. El uso de aplicación en las tejas de un tejado.

PDF original: ES-2697926_A1.pdf

Métodos para la fabricación de dispositivos termoeléctricos de película gruesa.

(30/08/2017) Un proceso para producir una película gruesa con una microestructura precursora de volumen libre relativamente grande, que comprende las etapas de: formar un polvo que comprende elementos, aleaciones o compuestos, con tamaños de partícula de los constituyentes iniciales de tal tamaño que se puede formar una capa del polvo sobre un sustrato; estando el proceso caracterizado por: combinar dicho polvo con un vehículo que es capaz de volatilizarse a una temperatura elevada sin residuo, y un agente adelgazante, también capaz de volatilizarse, para formar una pasta de viscosidad deseada como un medio para…

Método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura y método de producción de un cuerpo sinterizado mediante dicho método.

(04/01/2017) Un método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura por el método de plasma en solución, cuyo método de producción de nanopartículas de tipo núcleo/envoltura incluye un proceso de provocar la generación de plasma en una solución para así reducir dos tipos de sales metálicas que están disueltas en esa solución y hacer que precipite un primer metal y un segundo metal, proceso que incluye las siguientes etapas: una primera etapa de aplicación de una primera potencia para provocar la generación de dicho plasma de modo que provoque selectivamente la precipitación de dicho primer metal para formar…

Procedimiento de fabricación de un material termoeléctrico.

(14/09/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: MINGO BISQUERT,NATALIO, NAVONE,CHRISTELLE, SOULIER,MATHIEU, MARINOVA-ATANAS,MAYA, NERI,AMANDINE.

Procedimiento de fabricación de un material termoeléctrico que comprende las etapas siguientes: - preparar un polvo a partir de una aleación termoeléctrica por lo menos binaria (AxB1-x) destinada a servir de matriz; - mezclar el polvo con nano partículas de metal puro (M) destinadas a formar inclusiones en el interior de la matriz; - someter la mezcla a una etapa de sinterizado a una temperatura adaptada comprendida entre la temperatura que permite lograr el 90% de la densificación máxima y la temperatura de fusión del metal M y de la aleación (AxB1-x), en el transcurso del cual inclusiones nanométricas de composición MaAb y/oMaBb se forman en el interior de la matriz.

PDF original: ES-2593330_T3.pdf

Depósito de materiales termoeléctricos por impresión.

(11/11/2013) Procedimiento de realización de una capa de material termoeléctrico que presenta un espesor de entre 50 &my;m y 500 μm sobre un sustrato, que comprende las etapas siguientes: - preparar una tinta que comprende el material termoeléctrico, un material polimérico aglutinante y un disolvente; - depositar una capa de tinta sobre el sustrato; - calentar la capa de tinta para evaporar el disolvente; - comprimir la capa; y - llevar a cabo un tratamiento térmico para eliminar el material polimérico aglutinante; caracterizado porque el depósito de la capa de tinta se realiza por pulverización a presión en condiciones tales que el disolvente se evapore parcialmente antes de llegar al sustrato.

MODULO TERMOELECTRICO MEJORADO.

(16/02/1999). Solicitante/s: TELLUREX CORPORATION. Inventor/es: CAUCHY, CHARLES, J.

UN DISPOSITIVO TERMOELECTRICO QUE UTILIZA UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE TIPO P COMPRIMIDO Y SINTERIZADO CONECTADO A UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE TIPO N CRISTALINO MUESTRA UNA CIFRA DE VALOR INESPERADAMENTE ALTA, Z, Y RESISTENCIA MECANICA MEJORADA.

UN PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE COMPUESTOS INTERMETÁLICOS BINARIOS O COMPLEJOS.

(16/04/1960) Procedimiento de fabricación de compuestos intermetálicos binarios o complejos, cuyo punto de fusión rebasa notablemente las temperaturas de eutexia de los sistemas de aleaciones correspondientes, caracterizado porque se preparan dos polvos,conteniendo uno e los polvos uno de los elementos del compuesto en proporción inferior a la proporción en la cual existe en dicho compuesto, pero tal que calentado este polvo por encima de la temperatura del eutéctico más rico en este elemento, se cree una cantidad de líquido comprendida entre 0 y 15%, conteniendo el otro polvo el mismo elemento en proporción superior a aquella…

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