CIP-2021 : H01L 31/0304 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V .
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0304 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V .
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara.
(01/07/2020). Solicitante/s: King Abdullah University of Science and Technology. Inventor/es: OOI,BOON S, HUSSEIN,MOHAMED EBAID ABDRABOU, PRABASWARA,ADITYA, NG,TIEN KHEE, MIN,JUNGWOOK.
Un fotoelectrodo, que comprende:
una primera capa de nanocables de nitruro III;
un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una primera superficie de sustrato, en donde el sustrato transparente es uno o más de óxido de indio y estaño, óxido de estaño dopado con flúor y óxido de zinc dopado con aluminio; y
una segunda capa de nanocables de nitruro III, en contacto con el sustrato en una segunda superficie del sustrato, esencialmente opuesta a la primera superficie del sustrato.
PDF original: ES-2811623_T3.pdf
(10/07/2019) Célula solar múltiple (MS) que presenta
una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y
una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2),
siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y
presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2,…
Apilamiento de células solares.
(12/06/2019) Apilamiento de células solares (ST) que presenta mayoritariamente capas semiconductoras III-V, con una primera célula parcial (SC1) con una primera banda prohibida y con una primera constante de red, y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda banda prohibida y con una segunda constante de red, y una sucesión de capas intermedias dispuesta entre las dos células parciales (SC1, SC2), presentando la sucesión de capas intermedias una primera capa de barrera (B1) y un diodo túnel (TD1) y una segunda capa de barrera (B2), y presentando el diodo túnel (TD1) una capa n+ degenerada con una tercera constante de red y una capa p+ degenerada con una cuarta constante de red, y estando dispuestas las capas en dicho orden,
siendo…
Convertidor de potencia láser.
(01/05/2019). Solicitante/s: ArianeGroup GmbH. Inventor/es: SWEENEY,STEPHEN JOHN, MUKHERJEE,JAYANTA.
Un dispositivo 'LPC' de convertidor de potencia láser para recibir radiación electromagnética incidente a una longitud de onda de aproximadamente 1550 nm, el dispositivo que comprende:
un sustrato que comprende InP; y una zona activa que comprende una capa dopada con n y una capa dopada con p , las capas dopadas con n y dopadas con p que están formadas de InGaAsP, la zona activa que está dispuesta para absorber fotones de radiación electromagnética que tienen una longitud de onda asociada de aproximadamente 1550 nm, en el que el InGaAsP es un entramado que se hace coincidir con el sustrato ;
caracterizado porque el InGaAsP de la zona activa es InyGa1-yAsxP1-x, donde x = 0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 o 0,976 e y = 0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 o 0,544 respectivamente.
PDF original: ES-2728866_T3.pdf
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.
(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende:
una primera capa semiconductora tipo p;
una capa semiconductora tipo n;
una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada;
un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ;
una capa de ánodo para recolectar agujeros;
una capa de cátodo para recolectar electrones;
en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…
Célula solar múltiple monolítica.
(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…
Célula solar múltiple monolítica.
(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque
entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…
Célula solar múltiple monolítica.
(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge
caracterizada porque
una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y
porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y
siendo el espesor…
Colector de energía solar híbrido y central solar que comprende al menos tal colector.
(09/12/2015) Colector de energía solar híbrido, del tipo que comprende al menos una célula fotovoltaica para la conversión de energía solar en energía eléctrica y al menos un receptor térmico para la conversión de energía solar en energía térmica por calentamiento de un fluido, estando dispuesto el receptor térmico de forma que reciba la energía solar que atraviesa la célula fotovoltaica , comprendiendo la célula fotovoltaica varias uniones semi-conductoras superpuestas que tienen unas bandas prohibidas de diferentes anchos, teniendo cada unión semiconductora un ancho de banda prohibida igual o superior a 1,2 eV, especialmente igual o superior a 1,4 eV.
(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende:
una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ;
una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ;
una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y
una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …
(02/06/2011) Dispositivo óptico que comprende: un primer electrodo ; un segundo electrodo , siendo el primer y/o el segundo electrodo por lo menos parcialmente transmisivos en una primera gama de longitudes de onda; un elemento activo que presenta una unión-np que se dispone entre el primer y el segundo electrodo ; comprendiendo el elemento activo una pluralidad de estructuras semiconductoras que crecen en una dirección longitudinal fuera de una superficie plana sobre el primer electrodo y estando en contacto eléctrico con el primer y el segundo electrodo ; caracterizado por el hecho de que: cada estructura semiconductora comprende una parte…
PROCEDIMIENTOS DE ENSAMBLAJE DE MODULOS FOTOVOLTAICOS DE CONCENTRACION.
(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ISOFOTON, S.A. Inventor/es: ALONSO REVIEJO,JESUS, DIAZ LUQUE,VICENTE, ALVAREZ RICO,JOSE LUIS, MATEO OSORIO,CARLOS.
Módulo fotovoltaico de concentración y procedimiento de ensamblaje entre módulos. Módulo fotovoltaico de concentración basado en células solares de compuestos semiconductores III-V y un sistema óptico, que realiza la función de concentrar la luz sobre la célula solar, compuesto por dos lentes denominadas POE y SOE , todo ello alojado sobre un substrato o panel (5 ó 5'). La fabricación del módulo se realiza siguiendo una serie de etapas como son el pegado de la célula solar al substrato, la conexión del contacto frontal al exterior, el pegado de la lente SOE al substrato, llenado de la lente SOE con un encapsulante y ensamblaje final del módulo. El encapsulado de célula y SOE se realiza mediante la opción de leadframe o bien por medio de PCB's mejoradas térmicamente. La sujeción de las lentes POE se hace bien adhiriendo las lentes al cristal con adhesivo elastómero transparente, o bien mediante una pieza de sujeción del POE al panel trasero.
CABEZA OPTICA FOTODETECTORA.
(01/08/1996) LA CABEZA OPTICA FOTODETECTORA CONSISTE EN UN DISPOSITIVO ACTIVO , UN CIRCUITO IMPRESO Y UN CONECTOR OPTICO , QUE SE ENCUENTRAN CONTENIDAS EN UN ENCAPSULADO Y A SU VEZ ALINEADOS DE FORMA TAL QUE LOS EJES DE LAS FIBRAS OPTICAS FORMAN UN CIERTO ANGULO AL CON LA PERPENDICULAR A LA ZONA ACTIVA DE UNOS FOTODIODOS DUALES , EFECTUANDOSE LA CONEXION ELECTRICA DEL CONECTOR OPTICO AL CONJUNTO FORMADO POR EL DISPOSITIVO ACTIVO Y EL CIRCUITO IMPRESO MEDIANTE TECNOLOGIA "FLIP-CHIP", DISPONIENDO EL DISPOSITIVO ACTIVO DE TRES DETECTORES OPTICOS BALANCEADOS PROCESADOS SOBRE UN UNICO CHIP Y A SU VEZ ESTANDO FORMADO CADA UNO DE ELLOS POR DOS FOTODIODOS DUALES , CONECTADOS EN SERIE Y ALIENADOS A SENDAS FIBRAS OPTICAS MONOMODO QUE ILUMINAN A LOS FOTODIODOS DUALES POR LA CARA OPUESTA A LOS TERMINALES DE SALIDA DE…
