CIP-2021 : H01L 27/14 : con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos,

a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).

CIP-2021HH01H01LH01L 27/00H01L 27/14[1] › con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

H01L 27/14 · con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.

(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método: proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…

MÉTODO DE CONFIGURACIÓN DE UN FILTRO MULTICAPA DE SEPARACIÓN ESPECTRAL PARA APLICACIONES SOLARES FOTOVOLTAICAS Y TÉRMICAS, FILTRO Y CENTRAL DE GENERACIÓN ASOCIADOS A DICHO MÉTODO.

(11/07/2019). Solicitante/s: CAPARROS JIMENEZ, Sebastián. Inventor/es: CAPARROS JIMENEZ,Sebastián.

La invención se refiere a un método de configuración de un filtro multicapa selectivo de separación espectral de la radiación solar, apto para su disposición en placas fotovoltaicas para su uso en centrales de generación de energía, donde el filtro multicapa comprende una pluralidad de capas de diferentes índices de refracción y espesores, caracterizado por que comprende la realización de una serie de etapas para configurar dicho filtro multicapa de forma que maximiza la eficiencia fotovoltaica y térmica. Otro objeto de la invención se refiere a un filtro multicapa configurado a través de dicho método. Otro objeto de la invención se refiere a una central de generación de energía por aprovechamiento de energía solar que comprende el uso de al menos un filtro multicapa configurado a través de dicho método.

MÉTODO DE CONFIGURACIÓN DE UN FILTRO MULTICAPA DE SEPARACIÓN ESPECTRAL PARA APLICACIONES SOLARES FOTOVOLTAICAS Y TÉRMICAS, FILTRO Y CENTRAL DE GENERACIÓN ASOCIADOS A DICHO MÉTODO.

(03/07/2019) Método de configuración de un filtro multicapa de separación espectral para aplicaciones solares fotovoltaicas y térmicas, filtro y central de generación asociados a dicho método. La invención se refiere a un método de configuración de un filtro multicapa selectivo de separación espectral de la radiación solar, apto para su disposición en placas fotovoltaicas para su uso en centrales de generación de energía, donde el filtro multicapa comprende una pluralidad de capas de diferentes índices de refracción y espesores, caracterizado porque comprende la realización de una serie de etapas para configurar dicho filtro multicapa de forma que maximiza la eficiencia fotovoltaica y térmica.…

Disposición de sensor y procedimiento para formación de imágenes digitales por escaneado.

(08/11/2017) Una disposición de sensor para formación de imágenes digitales por escaneado de un objeto utilizando un haz de radiación electromagnética más estrecho que el objeto, en particular, para utilizar en relación con un equipo de mamografía, comprendiendo la disposición: un elemento de absorción de radiación que incluye, o en el que está integrado material que transforma cuantos de radiación en pares electrón-hueco, electrodos de píxel (P1, P2, P3) en una superficie opuesta a la superficie de recepción de radiación de dicho elemento, o medios correspondientes para dividir el elemento en píxeles, contadores (C) que están conectados a dichos electrodos de píxel (P1, P2, P3) o a los correspondientes medios, para contar pulsos recibidos…

Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica.

(15/03/2017). Solicitante/s: ALSTOM Transport Technologies. Inventor/es: DUTARDE,EMMANUEL, BREIT,FABRICE, Beuille,Christophe, SCHNEIDER,HENRI.

Convertidor matricial para la transformación de energía eléctrica entre al menos una fuente de tensión , especialmente una red de alimentación y al menos una fuente de corriente , especialmente una carga, constando dicho convertidor de una matriz de interruptores que une dichas fuentes de tensión con dichas fuentes de corriente , caracterizado porque dichos interruptores constan cada uno de dos bornes dispuestos en dos planos paralelos distintos y un sustrato diamante fotoconductor interpuesto entre dichos dos bornes del interruptor , estando realizado el control de cada interruptor por medio de una fuente óptica que irradia el sustrato diamante interpuesto entre los dos bornes y porque cada interruptor del convertidor está formado por un sustrato diamante individual que está soportado por un sustrato cerámico soporte por medio de una capa de vidrio.

PDF original: ES-2625771_T3.pdf

Establecimiento de llamada de telecomunicación de medios mixtos.

(18/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: 3G Licensing S.A. Inventor/es: CROOK,MICHAEL DAVID STANMORE.

Estación móvil apta para videotelefonía en respuesta a una interrupción de una llamada en curso de telecomunicaciones de medios mixtos, comprendiendo la estación móvil: - una interfaz de radiofrecuencia configurada para comunicar por medio de una red de telecomunicaciones de radio; - un transmisor configurado para transmitir datos que llevan por lo menos un primer y un segundo medios a una estación móvil remota durante una primera llamada de telecomunicaciones de medios mixtos; - un procesador en comunicación con la interfaz de radiofrecuencia configurado para recibir una indicación de que la transmisión de datos a la estación móvil remota en la primera llamada de telecomunicaciones de medios mixtos está siendo interrumpida; - estando el procesador además configurado, en respuesta a la indicación, para iniciar una segunda llamada a la estación móvil remota, no soportando la segunda llamada los segundos medios.

PDF original: ES-2564177_T3.pdf

METODO Y DISPOSITIVO PARA LA DETECCION DE LA VARIACION TEMPORAL DE LA INTENSIDAD LUMINOSA EN UNA MATRIZ DE FOTOSENSORES.

(11/07/2014) Método y dispositivo de detección de la variación temporal de la intensidad luminosa en una matriz de fotosensores, que comprende una matriz de pixeles, un bloque de ajuste automático de amplificación de la fotocorriente y un bloque arbitrador y codificador de eventos. Cada pixel comprende un fotosensor que genera una fotocorriente, un espejo de corriente de ganancia ajustable conectado a la salida del fotosensor, un amplificador de transimpedancia colocado a la salida del espejo de corriente, opcionalmente al menos un circuito de amplificación colocado a la salida del amplificador de transimpedancia, condensadores y detectores de umbral para determinar si la tensión de salida sobrepasa un umbral superior o baja por debajo de un umbral inferior para generar un evento en el pixel.

METODO Y DISPOSITIVO PARA LA DETECCIÓN DE LA VARIACIÓN TEMPORAL DE LA INTENSIDAD LUMINOSA EN UNA MATRIZ DE FOTOSENSORES.

(19/06/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es: SERRANO GOTARREDONA, TERESA, LINARES BARRANCO, BERNABE.

Método y dispositivo de detección de la variación temporal de la intensidad luminosa en una matriz de foto sensores, que comprende una matriz de píxeles, un bloque de ajuste automático de amplificación de la foto corriente y un bloque arbitrador y codificador de eventos. Cada píxel comprende un foto sensor que genera una foto corriente,un espejo de corriente de ganancia ajustable conectado ala salida del foto sensor,un amplificador de transimpedancia colocado a la salida del espejo de corriente,opcionalmente al menos un circuito de amplificación colocado a la salida del amplificador de transimpedancia, condensadores y detectores de umbral para determinar si la tensión de salida sobre pasa un umbral superior o baja por debajo de un umbral inferior para generar un evento en el píxel.

Sensor, dispositivo y método de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante.

(26/03/2014) Sensor, dispositivo y método de medición de radiación basado en transistor de puerta flotante. El sensor comprende al menos un primer transistor de puerta flotante con un primer y un segundo terminal, una puerta flotante , un substrato , una isla del segundo terminal con el mismo tipo de dopado que el segundo terminal pero de menor densidad de dopado, y una capa de óxido de puerta entre la puerta flotante y el substrato , donde tanto la puerta flotante como la capa de óxido de puerta se extienden sobre la isla del segundo terminal hasta la zona de mayor dopado del terminal. El sensor puede disponer de un área de extensión para aumentar el área de detección de radiación. El sensor puede comprender…

Fotodetector PIN.

(12/03/2014) Un fotodetector PIN que comprende: una primera capa de contacto semiconductora configurada como una estructura de mini-mesa ; una capa de absorción semiconductora , teniendo la estructura de mini-mesa un área más pequeña que la capa de absorción semiconductora ; una capa de pasivación semiconductora colocada entre la estructura de mini-mesa y la capa de absorción semiconductora , en relación con la capa de pasivación y la capa de absorción , estando la estructura de mini-mesa en contacto físico directo solo con la capa de pasivación ; y una segunda capa de contacto semiconductora , estando colocadas la capa de absorción semiconductora y la capa de pasivación entre la estructura de mini-mesa y la segunda capa de contacto semiconductora …

Dispositivos para obtención de imágenes de emisiones de radionucleidos.

(21/08/2013) Un dispositivo para obtención de imágenes de emisiones de radionucleidos que comprende: un dispositivo de acoplamiento de carga o dispositivo de detector de píxeles activos CMOS; y una capa de centelleo aplicada directamente en el dispositivo de acoplamiento de carga o dispositivo de detector depíxeles activos CMOS; en el que el grosor de la capa de centelleo es mayor que 200 mm.

SENSORES DE IMAGEN DE CANCELACIÓN DE RUIDO.

(08/04/2013) Un sensor de imagen que tiene una pluralidad de píxeles dentro de una matriz de píxeles acoplada a un circuito de control y uno o varios circuitos de sustracción. El circuito de control puede causar que un transistor de salida acoplado a un píxel proporcione una señal de salida de primera referencia, una señal de salida de reinicio común y una señal de salida de primer reinicio de nodo de detección, entre los cuales un circuito de sustracción puede formar una diferencia ponderada para crear una señal de ruido. El circuito de control puede causar que el transistor de salida proporcione una señal de salida de segundo reinicio de nodo de detección, una señal de salida de respuesta a luz y una señal de salida de segunda referencia, entre los cuales un circuito de sustracción puede formar una diferencia ponderada para crear una señal normalizada de…

DISPOSITIVO HIBRIDO MODULAR PARA LA LECTURA DE MATRICES DE SENSORES DE IMAGEN.

(16/12/2008) Dispositivo híbrido modular para la lectura de matrices de sensores de imagen.#La presente invención se refiere a circuitos integrados de lectura (ROICs) de matrices de sensores de imagen de plano focal. La invención introduce una nueva estrategia de encapsulado híbrido especialmente modular, ya que la matriz de lectura se construye mediante la interconexión de circuitos integrados idénticos e intercambiables entre sí formando un mosaico de la misma dimensión que el plano focal. La invención también plantea una organización de las conexiones del híbrido que permite independizar totalmente la tecnología de los sensores respecto a la tecnología de los circuitos de lectura. Como resultado, frente al estado…

DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE FOTODETECTORES EN GUIAONDA CON DIVERSIDAD DE POLARIZACION.

(16/12/1997). Solicitante/s: TELEFONICA DE ESPAÑA, S.A.. Inventor/es: FERRERAS GARCIA,ANTONIO, ANTON MOLINA, OSCAR.

EL DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE FOTODETECTORES EN GUIAONDA CON DIVERSIDAD DE POLARIZACION CONSISTE EN DOS FOTODETECTORES Y , UNA GUIAONDA , UN CONTACTO DE CATODO COMUN A LOS FOTODETECTORES Y , UN CONTACTO DE ANODO PARA EL SEGUNDO FOTODETECTOR , ESTANDO ACOPLADOS LOS FOTODETECTORES Y A LA GUIAONDA SIENDO SU FORMACION SIMULTANEA, TENIENDO EL PRIMER FOTODETECTOR COMO ZONA ABSORBENTE UNA ESTRUCTURA DE UNO O VARIOS POZOS CUANTICOS QUE PUEDEN ESTAR ADAPTADOS EN RED O COMPRESION Y EL SEGUNDO FOTODETECTOR DISPONE COMO ZONA ABSORBENTE ADEMAS DE LA ESTRUCTURA DE UNO O VARIOS POZOS CUANTICOS UNA CAPA ADICIONAL DE SEMICONDUCTOR ABSORBENTE A LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ.

ALIMENTADOR FOTOVOLTAICO PERFECCIONADO, APLICABLE PARA RADIO, RADIO EMISOR RECEPTOR.

(16/12/1997). Ver ilustración. Solicitante/s: MORENO GARCIA, EMILIO.

1. ALIMENTADOR FOTOVOLTAICO PERFECCIONADO, APLICABLE PARA RADIO EMISOR RECEPTOR, CARACTERIZADO POR ESTAR CONSTITUIDO A PARTIR DE UN CUERPO , QUE ACTUA COMO SOPORTE DE UN PANEL DE TIPO AMORFO (1'), MONOCRISTALINO O POLICRISTALINO, QUE CUENTA CON DOS CABLES DE CONEXION CON HILO DE SALIDA DE LA BASE, DEL QUE SE DIMANA UN CABLE BIPOLAR TIPO ELASTICO , TELEFONICO FLEXIBLE CON CLAVIJA UNIVERSAL HEMBRA , DISPONIENDO IGUALMENTE DE UNA TOMA MACHO , CON CABLE FLEXIBLE BIPOLAR , TERMINADO EN CLAVIJA DE CARGA (6'), ADAPTABLE A LA RADIO.

PIXEL FOTOSENSIBLE DE CONTROL EQUILIBRADO Y METODO DE FUNCIONAMIENTO.

(01/06/1996). Solicitante/s: OIS OPTICAL IMAGING SYSTEMS, INC. Inventor/es: BARON, YAIR.

INCLUYE UN ELEMENTO CONECTADO CON UN GRUPO DE SERIES DE ELEMENTOS DE CIERRE A UN PUNTO NODAL . LAS CAPACITANCIAS DE CADA GRUPO DE CIERRE SON IGUALES REDUCIENDO EL PICO CAPACITIVO DURANTE EL DIRECCIONAMIENTO DEL PIXEL. PUEDE SER ADAPTADO PARA PROVEER AMBAS LINEAS Y SE ADAPTAN DOS MATRICES DE PIXEL PARA FUNCIONAR COMO DISPOSITIVOS DISPLAY Y FOTOSENSORES CON GRAN EXACTITUD, RESOLUCION Y TIEMPOS BREVES DE ACCESO.

DETECTOR DE LA RADIACCION DE UNA FUENTE CUANTICA.

(01/10/1994). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEVINE, BARRY FRANKLIN, MALIK, ROGER JOHN, BETHEA, CLYDE GEORGE.

RADIACION ELECTROMAGNETICA COMO, EN PARTICULAR, RADIACION INFRARROJA ES DETECTADA OPTO - ELECTRONICAMENTE MEDIANTE MECANISMOS DE ESTRUCTURA SUPERENREJADA FORMANDO FUENTES CUANTICAS QUE TIENEN UN ESTADO FRONTERA UNICA CON EL FIN DE MINIMIZAR LA CORRIENTE OSCURA, BARRERAS RELATIVAMENTE ANCHAS SON USADAS ENTRE LAS FUENTES CUANTICAS. LOS DETECTORES DE ALTA VELOCIDAD, ALTAMENTE SENSITIVOS, RESULTANTES PUEDEN SER USADOS EN COMUNICACIONES OPTICAS, PARA LEVANTAMIENTO DE PLANOS DE TERRENO Y PARA VISION INFRARROJA.

DISPOSITIVO DE CONVERSION FOTOELECTRICO.

(16/01/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SUGAWA, SHIGETOSHI, SUZUKI, TOSHIJI, TANAKA, NOBUYOSHI.

EL DISPOSITIVO DE CONVERSION FOTOELECTRICO COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOELECTRICAS. CADA CELULA PUEDE REALIZAR UNA OPERACION DE ALMACENAJE, OTRA DE LECTURA Y OTRA DE RENOVACION. EN LA OPERACION DE ALMACENAJE, UN POTENCIAL DE UNA REGION DE ELECTRODOS DE CONTROL (BASE 4) DE UN TRANSMISOR SEMICONDUCTOR SE CONTROLA MEDIANTE UN CAPACITADOR Y PORTADORES QUE HAN SIDO GENERADOS POR ESCITACION DE LA LUZ SE ALMACENAN EN LA REGION DE ELECTRODOS DE CONTROL. EN LA OPERACION DE LECTURA, UNA SEÑAL DEPENDIENTE DE UN VOLTAJER GENERADO POR LOS PORTADORES ALMACENADOS ES LEIDO A PARTIR DE UN AREA PRINCIPAL DE ELECTRODOS (EMISOR 8) DEL TRANSISTOR. EN LA OPERACION DE RENOVACION, LOS PORTADORES ALMACENADOS EN LA REGION DE CONTROL DE ELECTRODOS SON ELIMINADOS. UNA REGION SEMICONDUCTORA (EMISOR 8') DEL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE LA REGION PRINCIPAL DE ELECTRODO (EMISOR 8), SE CONSTITUYE EN LA REGION DE CONTROL DE ELECTRODOS POR SEPARADO DE LA REGION PRINCIPAL DE ELCTRODOS.

CELULA SOLAR DE PELICULA FINA.

(16/01/1994). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR INDUSTRIES L.P. Inventor/es: TANNER, DAVID P., JESTER, THERESA L., YIN, MING-JAU.

UN MODULO SOLAR DEL TIPO QUE TIENE AL MENOS DOS SERIES DE CELULAS SOLARES CONECTADAS INCLUYENDO CADA UNA DE ELLAS UN ELECTRODO TRANSPARENTE EN LA CARA FRONTAL, UNA PELICULA FINA FOTOVOLTAICA, Y UN CONTACTO POSTERIOR DE ALUMINIO. SE COLOCA UNA PELICULA DE NIQUEL SOBRE EL CONTACTO POSTERIOR DE ALUMINIO PARA CONSEGUIR UNA MAYOR RESISTENCIA AL ENVEJECIMIENTO.

PIXEL FOTOSENSIBLE CON ELEMENTO EXPUESTO A BLOQUEO.

(16/10/1993). Solicitante/s: OIS OPTICAL IMAGING SYSTEMS, INC. Inventor/es: KITAMURA, KOICHI, SWATZ, LOUIS D., CATCHPOLE, CLIVE, YANIV, ZVI.

MEDIANTE EL MANTENIMIENTO DE LOS PRIMEROS ELECTRODOS DE UN ELEMENTO FOTOGENERADOR Y UN ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE A UN POTENCIAL COMUN, MIENTRAS SE INTERCONECTAN ELECTRICAMENTE LOS SEGUNDOS ELECTRODOS DE AQUELLOS, EL ELEMENTO DE BLOQUEO NO NECESITA SER CUBIERTO DE LA RADIACION INCIDENTE PORQUE LA SEÑAL ELECTRICA ALMACENADA GENERADA POR EL ELEMENTO FOTO GENERADOR NO SERA DISIPADA POR LOS PARES DE PORTADORES FOTOGENERADOS APORTADOS POR EL ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE.

DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO.

(16/10/1993) UN DISPOSITIVO OPTICO DE TRIPLE ESTADO SE CARACTERIZA POR TENER FOTODIODOS CON SUS RESPECTIVAS PAREDES CUANTICAS EN REGIONES INTRINSECAS. LOS FOTODIODOS SE CONECTAN EN SERIE CON UN INTERRUPTOR DIPOLAR Y UNA FUENTE DE POTENCIA ELECTRICA PARA EMITIR UNOS HACES OPTICOS DE SALIDA QUE TIENEN VARIAS COMBINACIONES DE NIVELES DE ENERGIA QUE DEPENDEN DEL ESTADO DEL INTERRUPTOR BIPOLAR Y DE LA RELACION DE DOS HACES DE CONTROL OPTICO INCIDENTES EN LOS FOTODIODOS. EN UN ESTADO DEL DISPOSITIVO DE TRIPLE ESTADO CON EL INTERRUPTOR BIPOLAR EN ESTADO DE CONDUCCION, LOS DOS HACES DE SALIDA TIENEN NIVELES ALTO Y BAJO COMPLEMENTARIOS, QUE REPRESENTAN POR EJEMPLO LOS NIVELES LOGICOS ALTO Y BAJO "1" Y "0". EN UN SEGUNDO ESTADO, LOS NIVELES DE ENERGIA DE LOS HACES DE SALIDA SON RESERVADOS,…

PROCESO Y APARATOS DE PRODUCCION CONTINUA DE SERIE LIGERA DE CELULAS FOTOVOLTAICAS.

(01/01/1993). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Inventor/es: HANAK, JOSEPH J.

PROCESO DE PRODUCCION DE UNA SUPERFICIE RELATIVAMENTE LARGA DE DELGADAS PELICULAS DE CELULAS FOTOVOLTAICAS, DEPOSITANDO UN SEMICONDUCTOR AISLADO A LA PELICULA, TAL COMO SILICONA AMORFA, PEGANDO UN MATERIAL SOPORTE A LA PELICULA DEPOSITADA Y SEPARANDO ESTA Y EL MATERIAL SOPORTE DEL FONDO SUSTRATO.

UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA.

(01/12/1987). Solicitante/s: SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE PELICULA DELGADA. CONSTA DE UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR Y OPTICAMENTE TRANSPARENTE, TAL COMO EL VIDRIO, A TRAVES DEL CUAL LA LUZ PENETRA EN EL DISPOSITIVO; DE UNA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA DISPUESTA EN POSICION CONTIGUA Y EN CONTACTO ELECTRICO CON EL SUSTRATO TRANSPARENTE CONDUCTOR; DE UNA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA DE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL DE LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA, LA CUAL ESTA DISPUESTA EN POSICION CONTIGUA Y EN CONTACTO ELECTRICO CON LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA; DE UNA PELICULA CONDUCTORA DISPUESTA SOBRE LA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA, LA CUAL COMPRENDE UN CONTACTO ELECTRICO POSTERIOR; DE UNA REJILLA COLECTORA DE CORRIENTE EN CONTACTO CON LA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA.

UNA DISPOSICION PERCEPTORA DE IMAGEN ACOPLADA A LA CARGA DEL TIPO DE TRANSFERENCIA DE LINEA.

(16/02/1987). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSICION DETECTORA DE IMAGEN ACOPLADA A LA CARGA DEL TIPO DE TRANSFERENCIA DE LINEA. COMPRENDE DOS ELECTRODOS DE FASE QUE PUEDEN SER CONTROLADOS SELECTIVAMENTE POR CADA UNO DE LOS DISPOSITIVOS ACOPLADOS POR CARGA, CONSTITUIDOS POR CONDUCTORES EN FORMA DE BANDAS ALARGADAS; CONDUCTORES COMUNES A TODAS LAS LINEAS DE DISPOSITIVOS CCD QUE ESTAN CONSTITUIDOS CADA UNO POR UN CONDUCTOR EN FORMA DE BANDA; ELEMENTOS DE LECTURA QUE COMPRENDEN UN REGISTRO CCD VERTICAL DE CUATRO FASES, DE LAS CUALES LOS ELECTRODOS ESTAN CONECTADOS ALTERNATIVAMENTE A LAS LINEAS DE SINCRONISMO; Y CANALES DE TRANSPORTE DE CARGA SEPARADOS DE LOS ELECTRODOS. TIENE APLICACION EN DISPOSITIVOS DETECTORES DE IMAGEN DEL TIPO DE TRANSFERENCIA DE LINEA.

UNA PILA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA, FORMADA SOBRE UN SUBSTRATO ELECTRICAMENTE AISLANTE.

(01/06/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

PILA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA. COMPRENDE: UNA PLURALIDAD DE SEGMENTOS DE PEQUEÑA AREA QUE PUEDEN CONECTARSE ENTRE SI, Y CADA UNO DE ELLOS INCLUYE: UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE AISLANTE QUE SEPARA CADA SEGMENTO DE LOS CONTIGUOS, REALIZADO EN VIDRIO O POLIMEROS ORGANICOS; TRES SUBELEMENTOS (12A, 12B, 12C) DE TIPO P-I-N, BAJO LAS CUALES SE ENCUENTRA EL PRIMER ELECTRODO , REALIZADO EN UN METAL ALTAMENTE ELECTROCONDUCTIVO; UN SEGUNDO ELECTRODO SITUADO SOBRE EL SUBELEMENTO (12C), REALIZADO EN UN MATERIAL DE OXIDO CONDUCTIVO TRANSPARENTE, COMO OXIDO DE INDIO O ESTAÑO; Y UNA REJILLA COLECTORA DE CORRIENTE COLOCADA SOBRE EL SEGUNDO ELECTRODO. SIENDO: P, POSITIVO; I, INTRINSECO; N NEGATIVO.

UN CIRCUITO INTEGRADO FOTODETECTOR.

(16/11/1985). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

CIRCUITO INTEGRADO FOTODETECTOR QUE INCORPORA UN DIODO PIN Y UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. CONSTA DE UN SUSTRATO DE FOSFURO DE INDIO SEMIAISLANTE ; DE UNA PRIMERA CAPA DE ESPESOR APROXIMADO DE 1 MICRON, LA CUAL ESTA FORMADA POR GA, IN Y AS; DE UNA SEGUNDA CAPA CUYO ESPESEOR Y COMPOSICION DEPENDEN DEL TIPO DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO A CONSTRUIR; DE UNA TERCERA CAPA QUE ES DE TIPO P, LA CUAL COOPERA CON LA SEGUNDA CAPA PARA FORMAR UNA UNION P-N TANTO EN EL FET COMO EN EL DIODO PIN; Y DE DOS CAPAS MAS QUE RECUBREN A LA TERCERA CAPA , LAS CUALES TIENEN UNA COMPOSICION QUE DEPENDE DE LA COMPOSICION DE LA CAPA TERCERA.

UN DISPOSITIVO SENSOR DE IMAGENES.

(16/09/1985). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO SENSOR DE IMAGEN.CONSTA DE: UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD CON UNAS REGIONES DE CAUDAL, DIRIGIDAS PERPENDICULARMENTE A UNA SISTEMA DE ELECTRODO , EN DONDE LA CARGA ES RECOGIDA Y TRANSPORTADA, SEPARADAS MUTUAMENTE POR ZONAS DE SEPARACION DE CANALES DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD A LA SUPERFICIE Y CONTIGUAS A UNA ZONA SEMICONDUCTORA DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD Y UNOS ELECTRODOS AISLADOS DE UNA SUPERFICIE DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD MEDIANTE UNA CAPA AISLANTE.

UN DISPOSITIVO DE CAPTACION DE IMAGEN, ACOPLADO EN CARGA, PARA RECOGER UNA IMAGEN DE RADIACION Y CONVERTIRLA EN UNA SEÑAL ELECTRICA.

(01/07/1985). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

UN DISPOSITIVO DE CAPTACION DE IMAGEN, ACOPLADO EN CARGA, PARA RECOGER UNA IMAGEN DE RADIACION Y CONVERTIRLA EN UNA SEN/AL ELECTRICA.EN UN CCD, ESPECIALMENTE EN UN DISPOSITIVO DECAPTACION DE IMAGEN , LOS ELECTRODOS DE LA PARTE DE SENSOR Y DE LA PARTE DE MEMORIA PUEDEN ESTAR CONMUTADOR ENTRE UN NIVEL DE REFERENCIA Y UN IMPULSO DE RELOJ. COMO RESULTADO DE ELLO, LA DENSIDAD DE INFORMACION Y, POR TANTO, EN EL DISPOSITIVO SENSOR DE IMAGEN, EL NUMERO DE LINEAS DE IMAGEN QUE HAN DE SER LEIDAS DE UN MODO INDEPENDIENTE SU SALIDA PUEDE SER DOBLE. ASI PUES, SE MEJORA LA RESOLUCION, AL TIEMPO QUE, POR OTRA PARTE, SE OBTIENE LA POSIBILIDAD DE REGISTRAR SIMULTANEAMENTE LAS LINEAS PARES E IMPARES.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR SENSIBLE A LA RADIACION.

(16/04/1985). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, SENSIBLE A LA RADIACION.COMPRENDE UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE TIENE AL MENOS UN DIODO SENSIBLE A LA RADIACION, CON AL MENOS UNA UNION PN ENTRE UNA PRIMERA REGION SEMICONDUCTORA DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, Y QUE TIENE UN ESPESOR Y UNA CONCENTRACION DE IMPUREZAS TALES QUE, EN LA CONDICION DE FUNCIONAMIENTO, DICHA ZONA SEMICONDUCTORA EN FORMA DE CAPA ESTA AGOTADA SUSTANCIALMENTE EN TODO SU ESPESOR, Y SOBRE SU AREA DE SUPERFICIE COMPLETA.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA.

(01/03/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA.CONSISTENTES EN LA COMBINACION DE UN PATRON DE MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE EN LA PARTE SUPERIOR DEL CUERPO SEMICONDUCTOR, DIVIDIENDO EL PATRON LA CELULA O CELDA DE AREA GRANDE EN LA MATRIZ DE SEGMENTOS DE AREA PEQUEÑA; Y EL GRUESO DEL PATRON DE MATERIAL AISLANTE DE 0,0254 MM ES MAYOR QUE EL GRUESO DEL REVESTIMIENTO TRANSPARENTE ELECTRICAMENTE CONDUCTOR DE MANERA TAL QUE EL MATERIAL AISLANTE A BASE DE PASTA DE SILICIO SEPARA Y AISLA ELECTRICAMENTE LOS SEGMENTOS DE AREA PEQUEÑA ADYACENTES.

UN DISPOSITIVO DETECTOR DE IMAGEN PARA RECOGER UNA IMAGEN DE RADIACION Y CONVERTIRLA EN UNA SEÑAL ELECTRICA.

(01/10/1984). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO DETECTOR DE IMAGEN PARA RECOGER UNA IMAGEN DE RADIACION Y CONVERTIRLA EN UNA SEN/AL ELECTRICA.COMPRENDE UN CUERPO SEMICONDUCTOR FORMADO POR UN SUSTRATO DE SILICIO DE TIPO N, POR UNA REGION DE TIPO P DEPOSITADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, POR UNA PLURALIDAD DE CANALES DE TRANSPORTE DE CARGA CONSTITUIDOS POR REGIONES DE TIPO N SEPARADAS ENTRE SI POR REGIONES DE TIPO P, POR UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE, Y POR UN CONJUNTO DE ELECTRODOS.

"UN DISPOSITIVO PARA DETECTAR RADIACION".

(16/08/1983). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

DISPOSITIVO DETECTOR DE RADIACION. COMPRENDE UN CUERPO SEMICONDUCTOR CON AL MENOS UN ELEMENTO SENSIBLE A LA RADIACION EN UNA SUPERFICIE , ELEMENTO QUE PUEDE SER EXPUESTO A LA RADIACION A DETECTAR. DICHO ELEMENTO COMPRENDE A SU VEZ SUBELEMENTOS PARA CONVERTIR RADIACION A DETECTAR EN CARGA GENERADA. LOS SUBELEMENTOS SON ADECUADOS PARA ALMACENAR LA CARGA GENERADA Y CADA UNO DE ELLOS ESTA CONECTADO, A TRAVES DE UN CAMINO DE CORRIENTE QUE COMPRENDE UNA BARRERA, A UN DETECTOR QUE ES COMUN A VARIOS SUBELEMENTOS, DE MODO QUE EL DETECTOR COMUN RECIBE UNA SEÑAL CUANDO LA CANTIDAD ALMACENADA DE CARGA GENERADA EN UNO O MAS DE LOS SUBELEMENTOS ES SUPERIOR A UN VALOR DE UMBRAL DEPENDIENTE DE LA BARRERA.

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