CIP-2021 : H03K 17/567 : Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores,

p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.

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H ELECTRICIDAD.

H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.

H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M).

H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52).

H03K 17/567 · · · Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Circuito de conmutación de cascode.

(10/07/2019) Un circuito de conmutación de cascode que comprende un dispositivo semiconductor normalmente encendido , un dispositivo semiconductor normalmente apagado y un controlador de compuerta , en donde: dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido y dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado tienen cada uno un terminal de compuerta, un terminal de drenaje y un terminal de fuente; dicho controlador de compuerta tiene una primera salida y una segunda salida ; dicha primera salida de dicho controlador de compuerta está acoplada a dicho terminal de compuerta de dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido ; dicha segunda salida de dicho controlador de compuerta está acoplada a dicho terminal de compuerta de dicho dispositivo…

Célula de conmutación y circuito de compensación para la misma.

(19/06/2019) Una célula de conmutación configurada para limitar la sobretensión de conmutación y para limitar la corriente de recuperación, que comprende: un conmutador electrónico de potencia (Q1) que tiene una puerta y una inductancia de emisor parásito a través de la cual se genera una tensión (VLe) al encender y apagar el conmutador electrónico de potencia (Q1); un circuito de compensación conectado a la inductancia del emisor parásito , y un controlador de puerta conectado al circuito de compensación y a la puerta del conmutador electrónico de potencia (Q 10 1), controlando el controlador de puerta una puerta a la tensión del emisor (Vge) aplicada al conmutador electrónico de potencia (Q1), incluyendo el controlador de puerta una referencia ; caracterizado por que: el circuito de…

Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa, conectados eléctricamente en serie, de un semipuente.

(17/05/2019) Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa (T1, T2) conectados eléctricamente en serie, de un semipuente , en el cual se encuentra presente una tensión continua de funcionamiento (UG), donde estos IGBT de conducción inversa (T1, T2) presentan un primer estado de conmutación (+15V), un segundo estado de conmutación (-15V) y un tercer estado de conmutación (0V), donde el primer estado de conmutación (+15V) se regula debido a que la tensión del emisor de puerta se lleva por encima de la tensión de aplicación, donde el segundo estado de conmutación (-15V) y el tercer estado de conmutación (0V) se regulan debido a que la tensión del emisor de puerta se lleva por debajo de la tensión de aplicación, donde la tensión del emisor…

Dispositivo y circuito de control de un componente electrónico de potencia, procedimiento de mando y distribuidor asociados.

(12/04/2017) Circuito de control de la apertura y del cierre de un componente electrónico de potencia , teniendo el componente electrónico de potencia un electrodo de compuerta, un electrodo de emisor y un electrodo de colector, caracterizado porque el circuito comprende un puente en H que comprende: - una primera rama vertical (33A) que comprende un primer interruptor y un primer generador de corriente controlado digitalmente, estando el primer interruptor separado del primer generador de corriente por un punto medio (32A) destinado a estar conectado al electrodo de emisor del componente electrónico de potencia ; y - una segunda rama vertical (33B) paralela a la primera rama vertical (33A),…

Procedimiento y configuración de circuitos para conmutar un interruptor semiconductor.

(14/12/2016) Procedimiento para conmutar un interruptor semiconductor (HS1) desde un primer estado de conexión estático hasta un segundo estado de conexión estático mediante control de una conexión de control (SHS) del interruptor semiconductor (HS1), presentando el procedimiento las siguientes etapas del procedimiento: • Una primera etapa de conmutación (S1; S4) de una primera fase de conmutación (S1, S2; S4, S5), en la que se realiza la conmutación controlada por la corriente (S410; S440) del interruptor semiconductor (HS1) partiendo del primer estado de conexión estático, imprimiendo controladamente al menos…

Circuito y procedimiento de accionamiento para MOSFET.

(15/06/2016) Un procedimiento de utilización de un circuito para accionar un dispositivo semiconductor de puerta aislada que comprende como un primer terminal una puerta y al menos terminales segundo y tercero , comprendiendo el circuito un dispositivo de almacenamiento de carga y medios de conmutación conectados en un circuito en serie a la puerta del dispositivo semiconductor para aplicar un pulso de carga desde el dispositivo de almacenamiento de carga a la puerta del dispositivo semiconductor a fin de conmutar el dispositivo semiconductor entre uno de un estado cerrado y un estado abierto y el otro del estado cerrado y del estado abierto, caracterizado porque la velocidad de conmutación de los medios de conmutación es menor que 2 ns por lo que la duración del…

Circuito excitador para activar un interruptor de semiconductor de potencia.

(03/12/2014) Circuito excitador con una primera salida (12a) y una segunda salida (12b) para activar un interruptor de semiconductor de potencia conectable con una señal de una primera tensión (UVP) con respecto a un potencial de referencia (GND) y desconectable con una señal de una segunda tensión (UVN) con respecto al potencial de referencia (GND), y con una primera entrada (18a) y una segunda entrada (18b) para activar por una señal (UIN) un circuito lógico alimentado con una tercera tensión (UL) y el potencial de referencia (GND), con un trayecto de conexión (10a) alimentado entre la primera tensión (UVP) y el potencial de referencia (GND) y dotado de la primera entrada (18a) y la primera salida (12a), y con un trayecto de desconexión (10b) alimentado entre la tercera tensión (UL)…

CIRCUITO INTEGRADO PARA LA GENERACION DE UNA SEÑAL DE ACTIVACION PARA UN TRANSISTOR BIPOLAR CON PUERTA AISLADA (IGBT).

(16/06/2006). Solicitante/s: SIEMENS AG. Inventor/es: MUNZ, DIETER, DIPL.-ING. , GUNTHER, HARALD, DIPL.-ING., STAUDT, MICHAEL, DIPL.-ING.

Circuito integrado para la generación de una señal de activación para un IGBT con una conexión de entrada para una señal de control generada por medio de un microcontrolador y con una trayectoria de la señal de control conducida desde la conexión de entrada hacia una unidad de procesamiento de las señales de control, caracterizado porque el circuito integrado presenta en la trayectoria de la señal de control un primer dispositivo magnetosensible (Ü, Ü1) para la separación del potencial, una conexión de entrada para una señal derivada del colector del IGBT y un segundo dispositivo magnetosensible (Ü2) para la transmisión de la señal derivada del colector del IGBT.

CIRCUITO CONDUCTOR PARA TRANSISTOR BIPOLAR DEL TIPO DE PUERTA AISLADA Y DISPOSITIVO DE IGNICION.

(16/06/2000) UN CIRCUITO DE CONTROL IGBT INCLUYE UN IGBT CONECTADO EN SERIE CON EL DEVANADO PRIMARIO (1A) DE UNA BOBINA DE IGNICION Y UNA RESISTENCIA DETECTORA DE CORRIENTE . UN TRANSISTOR ESTA CONECTADO A LA ENTRADA DEL IGBT PARA APLICAR UN VOLTAJE DE ENTRADA EN RESPUESTA A UNA SEÑAL DE IGNICION. UN COMPARADOR COMPARA EL VOLTAJE QUE SE PRODUCE EN LA RESISTENCIA DETECTORA DE CORRIENTE CON UNA TENSION DE COMPARACION. UN TRANSISTOR NPN CONECTADO A LA ENTRADA DEL IGBT CONVIERTE EL ESTADO ACTIVO E INACTIVO EN UNA REPUESTA AL RESULTADO DE LA COMPARACION DEL COMPARADOR PARA AJUSTAR LA TENSION DE PUERTA. LA TENSION DE PUERTA SE REALIMENTA A LA ZONA DE DETECCION DEL TERMINAL DEL COMPARADOR PARA ELIMINACION DE LAS OSCILACIONES…

SISTEMA DE CONMUTACION ANALOGICA BIDIRECCIONAL RAPIDA PARA PULSOS AF DE ALTA POTENCIA INSTANTANEA.

(01/07/1997) SISTEMA DE CONMUTACION ANALOGICA BIDIRECCIONAL RAPIDA PARA PULSOS AF DE ALTA POTENCIA INSTANTANEA. EL OBJETO DEL SISTEMA ES LA CONMUTACION RAPIDA DE PULSOS DE ALTO VOLTAJE Y CORTA DURACION SOBRE CARGAS QUE SOLICITEN ALTAS INTENSIDADES INSTANTANEAS, PERMITIENDO SU PASO EN AMBOS SENTIDOS; ASIMISMO ES CAPAZ DE CONMUTAR SEÑALES DE BANDA ESTRECHA, Y POR TANTO DE LARGA DURACION. SE BASA EN UN CANAL DE CONMUTACION DE MUY BAJA IMPEDANCIA SERIE, FORMADO POR DOS CONDENSADORES DE ALTO VOLTAJE (C1) EN SERIE CON DOS GRUPOS RECTIFICADORES (GR1 Y GR2) CONECTADOS EN OPOSICION Y CUYO ESTADO DE CONDUCCION SE ACTIVA MEDIANTE LA INYECCION FORZADA A TRAVES DE LOS MISMOS DE UNA CORRIENTE CONTINUA CONTROLADA POR UNA RED REACTIVA EN SERIE CON UN CONMUTADOR MONODIRECCIONAL DE BAJA TENSION (CBT) DE TIPO CONVENCIONAL, LO QUE PERMITE SU GOBIERNO LOGICO (SL) A PARTIR…