CIP-2021 : C25D 3/44 : Aluminio.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
C QUIMICA; METALURGIA.
C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.
C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B).
C25D 3/00 Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados.
C25D 3/44 · · · Aluminio.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento para la fabricación de una pieza de construcción metálica así como pieza de construcción fabricada de este modo.
(29/04/2020). Solicitante/s: KS HUAYU AluTech GmbH. Inventor/es: BEER,DR. STEPHAN, NIEHUES,JÜRGEN, MÖDING,DR. HERBERT.
Procedimiento para la fabricación de una pieza de construcción metálica , en el que a un cuerpo base se le dota de un revestimiento de aluminio y el cuerpo base revestido se refunde con una aleación de aluminio, caracterizado por que el revestimiento de aluminio se aplica de manera galvánica sobre el cuerpo base , cuya superficie presenta una estructura de unión por grapas con incisiones traseras, y por que sobre el cuerpo base se aplica de manera galvánica un revestimiento de níquel antes de la aplicación galvánica del revestimiento de aluminio.
PDF original: ES-2798004_T3.pdf
(18/03/2015) Mezcla que tiene un punto de congelación de hasta 100 ºC formada mediante un proceso que comprende la etapa de poner en contacto:
(A) de 1 a 2 equivalentes molares de un compuesto de fórmula (I)
AlX3 (I)
en la que cada X representa independientemente Cl, Br o F; con
(B) 1 equivalente molar de un compuesto de fórmula (II)
R1-C(O)-N(R2)(R3) (II)
en la que
R1 representa
alquilo C1-4 opcionalmente sustituido con uno o más átomos de F,
-N(H)R4,
R4 representa H o alquilo C1-4 opcionalmente sustituido con uno o más átomos de F, y
R2 y R3 representan independientemente
H,
alquilo C1-6 opcionalmente sustituido con uno o más átomos de F o
arilo;
en la que,
cada grupo alquilo es de cadena lineal, de cadena ramificada, cíclico o en parte cíclico/acíclico; y
arilo…
PROTECCION CONTRA ATAQUES CORROSIVOS Y EROSIVOS A TEMPERATURAS DE HASTA APROXIMADAMENTE 500 GRADOS CELSIUS PARA UN SUBSTRATO CONSTITUIDO POR ACERO AL CROMO.
(16/03/1997). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SCHMITZ, FRIEDHELM.
LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE PROTECCION DE SUBSTRATOS DE ACERO-CROMO CONTRA CORROSION Y EROSION A TEMPERATURAS POR ENCIMA DE 500 CONTENIENDO ALUMINIO SOBRE EL SUBSTRATO. DE ACUERDO CON LA INVENCION PARA REALIZAR ESTO SE DEPOSITA PRIMERO UNA CAPA METALICA CONTENIENDO ALUMINIO Y ENTONCES SE SOMETE A PROCESO DE ENDURECIMIENTO O RECOCIDO AL MENOS LA SUPERFICIE DE LA CAPA PROTECTORA. LA INVENCION PERMITE LA OBTENCION DE PROTECCION ALTAMENTE EFECTIVA, UTILIZANDO TECNICAS SIMPLES CONTRA CORROSION Y EROSION, EN PARTICULAR PARA ALABES DE TURBINA, Y ESPECIALMENTE ALABES DE TURBOCOMPRESOR.
ELECTROLITOS ORGANOALUMINIO PARA LA DEPOSICION ELECTROLITICA DE ALUMINIO DE ALTA PUREZA.
(16/05/1994) EL INVENTO RELATA A ELECTROLITOS DE ORGANOALUMINIO PARA LA DEPOSICION ELECTROLITICA DE ALUMINIO DE ALTA PUREZA, QUE ESTA CARACTERIZADO EN QUE CONTIENE MEZCLAS DE COMPONENTES COMPLEJOS DE ORGANOALUMINIO DEL TIPO MF.2 ALR3 (A), EN DONDE M REPRESENTA POTASIO O MEZCLAS DE K CON UN MAXIMO DEL 15% POR MOL DE SODIO, COMO TAMBIEN TRIALQUILALUMINIO ALR3 (B) QUE NO HA SIDO COMPLEJADO A UN FLUORURO DE METAL ALCALI EN UNA PROPORCION MOLAR DE A:B DE 4:0.6 A 4:2, COMO TAMBIEN UNA BASE LEWIS POLIFUNCIONAL DEL TIPO R'-OCH2CH2-OR'' (C) EN UNA PROPORCION MOLAR DE B:C DE 1:0.5 A 1:1. LOS RADICALES ORGANIL R EN A SON GRUPOS ETIL (ET),…
ELECTROLITOS DE ORGANOALUMINIO Y PROCESO PARA LA DEPOSICION ELECTROLITICA DE ALUMINIO.
(01/01/1994). Solicitante/s: STUDIENGESELLSCHAFT KOHLE MBH. Inventor/es: LEHMKUHL, HERBERT, MEHLER, KLAUS-DIETER.
EL INVENTO RELATA ELECTROLITOS DE ORGANOALUMINIO PARA LA DEPOSICION ELECTROLITICA DE ALUMINIO, QUE ESTA CARACTERIZADO EN QUE CONSTA DE KF.2ALET (A),KF.2ALME3 (B) Y MF.2AL(IBU)3 (C), EN DONDE M= SODIO O POTASIO O UNA MEZCLA DE AMBOS, EN UNA PROPORCION MOLAR DE A:B:C DE 2:1:1 A 7:1:1. LOS ELECTROLITOS DE ORGANOALUMINIO SE DISUELVEN EN 2 A 4.5 MOLES, BASADOS EN UNA CANTIDAD DE MF EMPLEADO, DE UN HIDROCARBONO AROMATICO QUE ES LIQUIDO A 0 C. EL INVENTO ADEMAS RELATA UN PROCESO PARA LA DEPOSICION ELECTROLITICA DE ALUMINIO EN MATERIALES CONDUCTORES ELECTRICAMENTE POR USAR DICHOS ELECTROLITOS.
EQUIPO PARA GALVANIZADO, ESPECIALMENTE PARA SEPARACION GALVANICA DE ALUMINIO.
(16/10/1989). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN. Inventor/es: BIRKLE, SIEGFRIED, GEHRING, JOAHNN.
LA INSTALACION DE GALVANIZADO COMPRENDE UNA BANDEJA DE GALVANIZADO (GW) QUE SE AISLA HERMETICAMENTE Y DESPLAZABLE POR ENCIMA DE ELECTROLITO (E) CON UN GAS INERTE (IG), Y POR LO MENOS UNA ESCLUSA DE VACIO (VS) PARA COLOCAR Y/O SEPARAR LAS PIEZAS A GALVANIZAR (W). LA CAMARA DE LA ESCLUSA (SK) DE LA ESCLUSA DE VACIO (VS) ESTA EQUIPADA CON UNA COMPUERTA DE ESCLUSA INTERIOR (STI) Y OTRA EXTERIOR (STA), Y SE VACIA PREFERENTEMENTE CON AYUDA DE UNA BOMBA DE VACIO (VP); LOS VAPORES DEL DISOLVENTE SE CONDENSAN EN UN DISPOSITIVO DE CONDENSACION (KE). EN EL RECUBRIMIENTO GALVANICO DE ALUMINIO, POR APLICACION DE LA ESCLUSA DE VACIO (VS), SE PUEDE AUMENTAR CONSIDERABLEMENTE LA DURACION DE LOS ELECTROLITOS ORGANICOS DE ALUMINIO, APROTICOS, FRENTE A LAS INSTALACIONES CON ESCLUSAS DE GAS Y ESCLUSAS DE LIQUIDOS.