Sistema y método para emular un diodo ideal en un dispositivo de control de energía.
Un circuito (200) para emular un diodo ideal, comprendiendo el circuito:
al menos un transistor de efecto de campo (210, 310) que comprende una fuente (212), un drenaje (214), una puerta (216) y un diodo de cuerpo (213);
una entrada (206, 312, 412) acoplada eléctricamente a la fuente;
una salida (208, 314) acoplada eléctricamente al drenaje;
un circuito de control (203) que comprende:
un sensor de corriente (205, 405) acoplado eléctricamente entre la entrada (206, 312, 412) y la fuente, y configurado para medir una corriente que fluye hacia la fuente; y
una salida del circuito de control acoplada a la puerta;
en donde el circuito de control está configurado para activar el al menos un transistor de efecto de campo en función de si la corriente que fluye hacia la fuente es mayor que un umbral predeterminado,
en donde el circuito de control comprende además:
un comparador (409, 509) acoplado eléctricamente al sensor de corriente y configurado para generar una señal indicativa de si la corriente que fluye hacia la fuente es mayor que el umbral predeterminado; un circuito de informe de estado (415, 515) acoplado eléctricamente a la salida del comparador, en donde el circuito de informe de estado está configurado para informar de un estado del al menos un transistor de efecto de campo a una interfaz de control (419) adaptada para permitir que un dispositivo externo controle el circuito de diodo ideal, en donde el estado corresponde a un estado activado o un estado desactivado del al menos un transistor de efecto de campo, y en donde la interfaz de control está acoplada a un circuito de anulación (417) para forzar el circuito de diodo ideal al estado activado, y
en donde el diodo del cuerpo (213) comprende un ánodo acoplado a la fuente y un cátodo acoplado al drenaje.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2008/081034.
Solicitante: LEACH INTERNATIONAL CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 6900 Orangethorpe Avenue, P.O.Box 5032 Buena Park, CA 90622-5032 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: TOFIGH,FARSHID, KRUPPA,OTMAR.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G06F9/455 FISICA. › G06 CALCULO; CONTEO. › G06F PROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES (sistemas de computadores basados en modelos de cálculo específicos G06N). › G06F 9/00 Disposiciones para el control por programa, p. ej. unidades de control (control por programa para dispositivos periféricos G06F 13/10). › Emulación; Interpretación; Simulación delsoftware, p. ej. virtualización o emulación de motores de ejecución de aplicaciones o sistemas operativos.
PDF original: ES-2793749_T3.pdf
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