APARATO TERMICO DE FORMACION DE IMAGENES.

UNA PELICULA PIROELECTRICA 21 TIENE UN PATRON DE ELECTRODOS INTERCONECTADOS 22 FORMADOS EN UNA SUPERFICIE PRINCIPAL,

Y UN PATRON DE ELECTRODOS DISCRETOS 24 FORMADOS EN LA OTRA SUPERFICIE PRINCIPAL. CADA ELECTRODO DISCRETO 24 TIENE UNA APERTURA 31 EN LA QUE SE FORMA UN ADAPTADOR ELECTRICO CONDUCTOR RESPECTIVO 23. LA PELICULA 21 SE SOPORTA POR PILARES 26 CONECTADOS A LOS ADAPTADORES 23, PROVEYENDO LOS PILARES UN CAMINO PARA SEÑALES ELECTRICAS ENTRE LOS ADAPTADORES 23 Y MEDIOS DE PROCESAMIENTO DE LA SEÑAL 28. CADA ELECTRODO DISCRETO 24 SE CONECTA AL RESPECTIVO ADAPTADOR 23 POR UNA TIRA RESPECTIVA DE MATERIAL CONDUCTOR DE LA CORRIENTE ELECTRICA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THORN EMI PLC.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: 4 TENTERDEN STREET, LONDON W1A 2AY.

Inventor/es: NIX, ELVIN LEONARD, TAYLOR, STANLEY.

Fecha de Publicación: 16 de Junio de 1994.

Fecha Concesión Europea: 13 de Abril de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

G01J5/34 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01J MEDIDA DE LA INTENSIDAD, DE LA VELOCIDAD, DEL ESPECTRO, DE LA POLARIZACION, DE LA FASE O DE CARACTERISTICAS DE IMPULSOS DE LA LUZ INFRARROJA, VISIBLE O ULTRAVIOLETA; COLORIMETRIA; PIROMETRIA DE RADIACIONES. › G01J 5/00 Pirometría de las radiaciones. › utilizando capacidades.
H01L27/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38).
H01L37/02 H01L […] › H01L 37/00 Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie.

Patentes similares o relacionadas:

Diseño de conmutador con función de observación hacia abajo inteligente para detectores de intrusión, del 16 de Octubre de 2019, de HONEYWELL INTERNATIONAL INC.: Un aparato que comprende: una placa base para un detector de infrarrojos pasivo (PIR) adaptado de modo que se fije por medio […]

APARATO DE ANALISIS., del 1 de Mayo de 2002, de MICROBIOLOGICAL RESEARCH AUTHORITY CENTRE FOR APPLIED MICROBIOLOGY AND RESEARCH: SE DESCRIBE UN APARATO ANALITICO QUE INCLUYE UN TRANSDUCER PIROELECTRICO O TERMOELECTRICO DE FORMA ALARGADA. ESTA PROVISTO DE MICROLECTRODOS Y DE UNA O MAS GOTAS […]

ESTRUCTURA MONOLITICA DE DETECCION O DE FORMACION DE IMAGEN INFRARROJA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION., del 16 de Julio de 1994, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: LA ESTRUCTURA COMPRENDE UNA CAPA DE POLIIMIDA AISLANTE ELECTRICO Y TERMICO, SENSORES DE INFRARROJO AISLADOS UNOS DE LOS OTROS QUE […]

UN DISPOSITIVO DETECTOR DE RADIACION INFRARROJA, del 16 de Agosto de 1987, de N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN: DISPOSITIVO DETECTOR DE RADIACION INFRARROJA. COMPRENDE: UNA DISPOSICION DE CANALES CON UN DETECTOR DOBLE CONSTITUIDO POR PARES DE ELEMENTOS PIROELECTRICOS […]

"UN DETECTOR DE RADIACION INFRARROJA", del 1 de Junio de 1984, de N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN: DETECTOR DE RADIACION INFRARROJA.COMPRENDE DOS ELEMENTOS PIROELECTRICOS (1 Y 2), CADA UNO EMPAREDADO ENTRE DOS ELECTRODOS DE NICROM (3A, […]

Sistema y método para determinar el incremento de la entropía en un volumen y el flujo de entropía a través de una superficie, del 18 de Junio de 2015, de UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA: Método para determinar el incremento de entropía en un volumen y el flujo de entropía a través de una superficie. El invento se refiere a un método detector de entropía […]

SENSOR PIROELECTRICO, del 1 de Abril de 1994, de CERBERUS AG: PARA MEJORAR LA CALIDAD DE LOS SENSORES PIROELECTRICOS SE USA UN MATERIAL PIROELECTRICO, QUE CONTIENE TANTALITA DE LITIO EN UN PRODUCTO AGLUTINANTE, […]

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN COMPONENTE DE SEMICONDUCTORES CON UNA CAPA PIEZO O PIROELECTRICA, del 16 de Mayo de 2008, de INFINEON TECHNOLOGIES AG: Procedimiento para la producción de un componente de semiconductores con una secuencia de capas para la conversión de señales acústicas o térmicas y de […]