EMPAQUETADO RESISTENTE A LA ACELERACION PARA CIRCUITOS INTEGRADOS Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

EMPAQUETADO RESISTENTE A LA ACELERACION PARA CIRCUITOS INTEGRADOS Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

SE REFIERE EL INVENTO A UN EMPAQUETADO RESISTENTE A LA ACELERACION PARA CIRCUITOS INTEGRADOS. LOS CIRCUITOS INTEGRADOS USUALMENTE SE EMPAQUETAN EN CAJAS DE PLASTICO O DE CERAMICA. LOS CIRCUITOS EMPAQUETADOS DE TAL MODO, SIN EMBARGO, NO SON UTILIZABLES EN PROYECTILES POR RAZON DE LAS ALTAS ACELERACIONES, QUE SE MANIFIESTAN. POR LO TANTO, EL INVENTO PROPONE DISPONER LOS CIRCUITOS INTEGRADOS (5, 6), EN CADA CASO, ENTRE DOS HOJAS (1, 2) Y FIJARLOS PERIFERICAMENTE EN UN MARCO TENSOR (3, 4).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RHEINMETALL GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: ULMENSTRASSE 125 DUSSELDORF.

Inventor/es: OPITZ, HANS-PETER.

Fecha de Solicitud: 18 de Agosto de 1989.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 18 de Mayo de 1990.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/52 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.
  • H01L23/06 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material del contenedor o por sus propiedades eléctricas.
EMPAQUETADO RESISTENTE A LA ACELERACION PARA CIRCUITOS INTEGRADOS Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

Patentes similares o relacionadas:

PROCEDIMIENTO PARA UNIR POR ADHERENCIA SUPERFICIAL OBLEAS DE SILICIO., del 16 de Febrero de 1996, de TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH: EL PROCEDIMIENTO SE CARACTERIZA PORQUE SOBRE UNA SUPERFICIE A UNIR, SE APLICA UNA CAPA DELGADA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.

UN CONJUNTO DE MONTAJE DE UNA PASTILLA DE CIRCUITO INTEGRADO, del 1 de Diciembre de 1981, de AMP INCORPORATED: Un conjunto de montaje de una pastilla de circuito integrado que comprende un bastidor de conductores que proporciona un disipador de calor al que ha de unirse la pastilla […]

Imagen de 'MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA'MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA, del 16 de Marzo de 2008, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG: Módulo semiconductor de potencia con, como mínimo, un primer elemento de conexión eléctrica , como mínimo un sándwich dispuesto encima del mismo y formado […]

Imagen de 'MÉTODO DE FABRICACIÓN DE ELECTRODOS PUNTIFORMES PARA DISPOSITIVOS…'MÉTODO DE FABRICACIÓN DE ELECTRODOS PUNTIFORMES PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, del 1 de Marzo de 1963, de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V.: Método de fabricación de electrodos puntiformes para dispositivos semiconductores, en particular diodos a cristal, que consisten de un núcleo […]

EMPAQUETAMIENTO DE CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO Y METODO, del 16 de Mayo de 1995, de LSI LOGIC CORPORATION: CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) QUE ESTA FORMADO MEDIANTE LA EXTENSION DE TODAS LAS DIMENSIONES DE UN CIRCUITO INTEGRADO CONVENCIONAL SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, TIPICAMENTE […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .