PERFECCIONAMIENTOS EN DIODOS SEMICONDUCTORES.
Perfeccionamientos en dichos semiconductores, con estructura de tres zonas npn o pnp que consta de tres zonas de semiconductor colindantes y con contactos resistivos,
caracterizado porque para disminuir la barrera de energía la zona de base central en la estructura de tres zonas, se ha elegido de un espesor tan pequeño que ya sin haber tensión eléctrica aplicada a los electrodos con el dopado dado a esta zona de base, toda la zona de base esta empobrecida de portadores de carga libres.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DR. HERMANN MADER.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: CARL-DUISBERG-STR. 42, 8025 UNTERHACHING.
Fecha de Solicitud: 9 de Enero de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Noviembre de 1979.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
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