PROCEDIMIENTO PARA LA PURIFICACIÓN DE MATERIALES SEMICONDUCTIVOS.
Procedimiento para la purificación de materiales semiconductivos,
especialmente para purificar en fase líquida, un compuesto clorado de un primer elemento perteneciente al grupo que consiste en silicio y germanio, que contenga como impureza al menos un cloruro de un segundo elemento perteneciente al grupo que forman el boro y el fósforo; caracterizado porque se trata dicho material líquido con uno o más absorbentes elegidos del grupo integrado por carbón vegetal, óxidos hidratados y silicatos hidratados, poniendo en íntimo contacto el material y el absorbente, y porque el material así elaborado se reduce por último, mediante hidrógeno en fase de vapor, sobre un cuerpo del primer elemento mencionado
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0254000.
Solicitante: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Fecha de Solicitud: 27 de Noviembre de 1959.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 15 de Enero de 1960.
Clasificación PCT:
- C25F3/12 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico. › de materiales semiconductores.
Clasificación antigua:
- C25F3/12 C25F 3/00 […] › de materiales semiconductores.
Patentes similares o relacionadas:
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE UNA ESTRUCTURA COMPUESTA ESTRATIFICADA FOTOACTIVA, del 6 de Febrero de 2012, de HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH: Procedimiento para la producción de una estructura compuesta estratificada fotoactiva con un macroabsorbente en forma de un substrato de silicio dopado […]
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO, del 1 de Julio de 1984, de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.: PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.CONSISTE EN MORDENTAR UNA PARTE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO ELEGIDO ENTRE HAP, GAAS, ALAS, ALP Y OTROS PARA PRODUCIR […]
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR., del 16 de Junio de 1984, de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.: PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.CONSISTE EN FOTOMORDENTAR ELECTROQUIMICAMENTE AL MENOS UNA PARTE DE LA SUPERFICIE DE UN […]
INSTALACION DE GRABADO ELECTROQUIMICO Y PROCEDIMIENTO PARA EL GRABADO DE UN CUERPO QUE VA A GRABARSE, del 16 de Octubre de 2007, de ROBERT BOSCH GMBH: Célula de grabado electroquímico para el grabado de un cuerpo que va a grabarse, que se compone de silicio al menos en su superficie, con al menos una cámara, […]
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, del 16 de Enero de 1963, de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V.: Un método de fabricar un dispositivo semiconductor en el cual se aplica una cantidad de un agente de enmascaramiento a una superficie de un cuerpo semiconductor entre dos electrodos […]
UN DISPOSITIVO TRANSISTOR, del 1 de Julio de 1958, de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V.: Dispositivo transistor que comprende un cuerpo en que una parte semi-conductora de un tipo de conductividad determinada provista con contacto,parte que es considerada […]